[发明专利]发光元件无效
| 申请号： | 200710091907.3 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101276864A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡吉明;陈锡铭 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1. 一种发光元件，至少包括：
镁化物缓冲结构，具有相对的第一表面和第二表面；
透明基板，直接设于该镁化物缓冲结构的该第一表面上；及
发光外延结构，直接设于该镁化物缓冲结构的该第二表面上。
2. 如权利要求1所述的发光元件，其中该透明基板是蓝宝石基板。
3. 如权利要求2所述的发光元件，其中该发光元件是氮化物发光二极管。
4. 如权利要求3所述的发光元件，其中该镁化物缓冲结构包含氮化镁(MgNx)缓冲层，其为未掺杂、n型或p型。
5. 如权利要求3所述的发光元件，其中该氮化镁(MgNx)缓冲层为单晶结构、多晶结构或非晶结构。
6. 如权利要求3所述的发光元件，其中该镁化物缓冲结构包含氮化镁(MgNx)层/氮化镓系列材料层的多层堆叠结构。
7. 如权利要求6所述的发光元件，其中该镁化物缓冲结构中的氮化镓系列材料层包括氮化铝铟镓(AlInGaN)。
8. 如权利要求6所述的发光元件，其中该镁化物缓冲结构中的氮化镓系列材料层为n型、p型或未掺杂。
9. 如权利要求6所述的发光元件，其中该镁化物缓冲结构中的氮化镁(MgNx)层与氮化镓系列材料层均为单晶结构、多晶结构或非晶结构。
10. 如权利要求1所述的发光元件，其中该镁化物缓冲结构的厚度为大致30nm。
11. 如权利要求1所述的发光元件，其中该发光外延结构至少包括：
未掺杂氮化镓层，设于该镁化物缓冲结构的该第二表面上；
n型氮化镓层，设于该未掺杂氮化镓层上；
氮化铟镓层/氮化镓层多重量子阱有源结构，设于该n型氮化镓层上；
p型氮化铝镓层，设于该氮化铟镓层/氮化镓层多重量子阱有源结构上；以及
p型氮化镓层，设于该p型氮化铝镓层上。
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