[发明专利]图案转移的方法

权利要求书

1. 一种图案转移的方法，该方法包含有：

提供基底；

于该基底上形成第一图案化掩模层，其包含电路图案以及多个虚构图案；

于该基底上形成第二图案化掩模层，其暴露出该第一图案化掩模层上的该电路图案；以及

利用该第一图案化掩模层当作掩模而移除暴露出的部分该基底，以将该电路图案转移至该基底上。

2. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中该基底包含半导体基底、介电层、金属层或绝缘层。

3. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中所述虚构图案与该电路图案形成矩阵图形。

4. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中该所述虚构图案与该电路图案形成类矩阵图形。

5. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中所述虚构图案与该电路图案具有约相同的间距。

6. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中该电路图案包含有：

密集图案区，其包含有多个密集图案；以及

疏离图案区，其包含有至少一疏离图案；

其中该第一图案化掩模层的图案包含有所述密集图案、该疏离图案以及所述虚构图案，该第二图案化掩模层则包含有对应于该密集图案区的第一图案区以及对应于该疏离图案区的第二图案区。

7. 如权利要求6所述的图案转移的方法，其中所述密集图案以及该疏离图案分别为接触洞图案。

8. 如权利要求6所述的图案转移的方法，其中所述密集图案以及该疏离图案的图形尺寸不完全相同。

9. 如权利要求6所述的图案转移的方法，其中各该虚构图案的图形与各该密集图案的图形相同。

10. 如权利要求6所述的图案转移的方法，其中该第二图案化掩模层的该第一图案区以及该第二图案区分别暴露出该第一图案化掩模层的所述密集图案与该疏离图案，并覆盖住该第一图案化掩模层上的所述虚构图案。

11. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中形成该第一图案化掩模层的方法包含有下列步骤：

依序于该基底表面形成硬掩模层以及第一光阻层；以及

进行光刻工艺，以于该第一光阻层上定义出该第一图案化掩模层的图案。

12. 如权利要求11所述的图案转移的方法，其中形成该第一图案化掩模层的方法还包含有下列步骤：

进行显影工艺，以于该第一光阻层上形成该第一图案化掩模层的图案，其包含该电路图案与所述虚构图案；以及

进行蚀刻工艺，利用该第一光阻层当作掩模，以移除该第一光阻层所暴露出的部分该硬掩模层。

13. 如权利要求11所述的图案转移的方法，其还包含进行热处理工艺，以等比例缩小该第一光阻层的该电路图案与所述虚构图案的尺寸。

14. 如权利要求13所述的图案转移的方法，其中该热处理工艺为回流工艺。

15. 如权利要求11所述的图案转移的方法，其中该光刻工艺利用氟化氩光源进行。

16. 如权利要求1所述的图案转移的方法，其中形成该第二图案化掩模层的方法包含有：

于该第一图案化掩模层上形成第二光阻层；以及

进行光刻工艺，以图案化该第二光阻层而形成该第二图案化掩模层。

17. 如权利要求16所述的图案转移的方法，其中该方法还包含在形成该第二图案化掩模层之前，先于该基底上形成底部抗反射涂层。

18. 如权利要求17所述的图案转移的方法，其中该方法还包含利用该第二图案化掩模层当作蚀刻掩模，进行蚀刻工艺，以移除该第二图案化掩模层所暴露出的部分该底部抗反射涂层。

19. 如权利要求17所述的图案转移的方法，其中该底部抗反射涂层的材料为可显影抗反射材料，而在形成该第二图案化掩模层时，还包含进行显影工艺，以同时于该第二光阻层与该底部抗反射涂层上形成该第二图案化掩模层的图案。

20. 如权利要求16所述的图案转移的方法，其中该蚀刻工艺为反应性离子蚀刻工艺。