[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

半导体衬底；

多个有源区，在半导体衬底中以带状形成；

多条字线，以相等的间隔排列以便与有源区交叉；

多个单元接触部，包括在有源区中沿其纵向在中心部分形成的第一单元接触部，和沿纵向在两端处的每一端部形成的第二单元接触部；

位线接触部，形成于第一单元接触部上；

位线，对其布线使得在位线接触部上穿过；

存储节点接触部，形成于第二单元接触部上；

存储节点接触焊盘，形成于存储节点接触部上；以及

存储电容器，形成于存储节点接触焊盘上，

其中，存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置沿规定方向偏移，以及存储节点接触焊盘的中心位置相对于存储节点接触部的中心位置沿规定方向偏移。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，优选地，多个有源区沿相对于与字线交叉的X方向成规定角度的直线对齐，并且沿与字线平行的Y方向对齐。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，优选地，所述规定角度是约18°。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，将存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置向着相应的位线接触部偏移。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，将存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置沿X方向进行偏移。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，对存储节点接触部的中心位置进行偏移使其沿X方向等间隔。

7.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，对于沿Y方向排列的多个有源区，以交替方式利用第一焊盘布局和第二焊盘布局，在第一焊盘布局中，将存储节点接触焊盘的位置沿接近相应的有源区的中心部分的方向进行偏移，以及在第二焊盘布局中，将存储节点接触焊盘的位置沿远离相应的有源区的中心部分的方向进行偏移。

8.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，对于在所述直线上排列的多个有源区，以交替方式利用第一焊盘布局和第二焊盘布局，在第一焊盘布局中，将存储节点接触焊盘的位置沿接近相应的有源区的中心部分的方向进行偏移，以及在第二焊盘布局中，将存储节点接触焊盘的位置沿远离相应的有源区的中心部分的方向进行偏移。

9.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，存储节点接触焊盘的偏移量为沿X方向3/4F，沿Y方向1/3F。

10.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，将沿X方向相邻的两个存储节点接触焊盘的中心之间的距离设定为3F，以及将存储节点接触焊盘沿Y方向排列的间隔设定为2F。

11.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，有源区包括沿Y方向连续的第一、第二和第三有源区，并且

在第一有源区的一端形成的第一存储节点接触焊盘和在第二有源区的一端形成的第二存储节点接触焊盘之间的位置关系与在第三有源区的各端形成的第三和第四存储节点接触焊盘之间的位置关系相同。

12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中，第一存储节点接触焊盘和第三存储节点接触焊盘之间的位置关系与第二存储节点接触焊盘和第四存储节点接触焊盘之间的位置关系相同。

13.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，有源区包括沿Y方向连续的第一、第二和第三有源区，以及沿纵向与第二有源区相邻的第四有源区，并且

在第一有源区的一端形成的第一存储节点接触焊盘和在第四有源区的一端形成的第二存储节点接触焊盘之间的位置关系与在第二有源区的一端形成的第三存储节点接触焊盘和在第三有源区的一端形成的第四存储节点接触焊盘之间的位置关系相同。

14.如权利要求13所述的半导体存储器件，其中，第一存储节点焊盘和第二存储节点接触焊盘之间的位置关系与第三存储节点接触焊盘和第四存储节点接触焊盘之间的位置关系相同。

15.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中，将第一和第二存储节点接触焊盘的中心位置之间的距离、第二和第四存储节点接触焊盘的中心位置之间的距离、第四和第三存储节点接触焊盘的中心位置之间的距离、以及第三和第一存储节点接触焊盘的中心位置之间的距离全部设定为相等。