[发明专利]具有叠合透明电极的半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包含：

基板；

半导体外延层，位于该基板上方，并具有远离该基板之外表面；

第一透光导电层，位于该外表面上方，且具有第一表面；以及

第二透光导电层，位于该第一透光导电层上方，且具有第二表面，该第二表面的面积小于该第一表面的面积，且该第二透光导电层的光学特性及电学特性中至少其一不同于该第一透光导电层者。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层大体上覆盖该半导体外延层的该外表面的全部面积。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层对于发自该半导体外延层的光的穿透率大于该第二透光导电层的穿透率。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层的导电系数小于该第二透光导电层的导电系数。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层的厚度大于该第二透光导电层的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层包含多个彼此电相连的区段。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，还包含：

凹槽，自该半导体外延层的表面凹陷至底面以暴露出该半导体外延层中至少一层的一部分，该凹槽自该半导体外延层的第一侧延伸至相对于该第一侧的第二侧；及

接触层，位于该沟槽内。

8.如权利要求7所述的半导体发光装置，还包含延伸区段，自该接触层朝外突出。

9.如权利要求7所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层与该第二透光导电层中至少其一环绕该凹槽。

10.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该半导体外延层包含：

第一型半导体层；

第二型半导体层；及

发光层，位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间。

11.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层的材料择自ITO、IZO、ZnO、CTO、In₂O₃、SnO₂、MgO、及CdO所构成的群组。

12.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层的材料择自ITO、IZO、ZnO、CTO、In₂O₃、SnO₂、MgO、及CdO所构成的群组。

13.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层的材料择自Al、Au、Cr、In、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、及前述材料的合金或叠层所构成的群组。

14.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层的该第二表面与该第一透光导电层的该第一表面的面积比值不大于1/2。

15.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层为金属层或金属叠层，该金属层或该金属叠层的厚度介于0.001μm～1μm。

16.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层的厚度小于该第一透光导电层的表面粗糙度。

17.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二透光导电层包含区段，该区段的宽度不大于50μm。

18.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一透光导电层与该第二透光导电层包含相同的主要材料。

19.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该半导体发光装置的面积不小于15mil×15mil。

20.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该半导体发光装置的外形为矩形。