[发明专利]有机电致发光元件及显示器和电子装置

权利要求书

1、一种有机电致发光元件，包含：

基底；

阳极，设于该基底上；

有机电致发光材料层，设于该阳极上；以及

复合层透明阴极，设于该有机电致发光材料层上，该透明阴极包含有：

薄金属层，设于该透明阴极的底部；

掺杂缓冲层，设于该薄金属层上：以及

透明电极，设于该掺杂缓冲层之上。

2、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层包含电子传输材料。

3、如权利要求2所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层包含8-羟基喹啉铝(tris(8-quinolinato-N1，08)-aluminum，Alq3)或10-羟基苯并喹啉铍(bis(10-hydroxyben-zo[h]quinolinato)beryllium，Bebq2)。

4、如权利要求2所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层的杂质包含金属材料。

5、如权利要求4所述的有机电致发光元件，其中该金属材料具有功函数，其小于或等于4.2电子伏特。

6、如权利要求5所述的有机电致发光元件，其中该金属材料选自碱金属、碱土金属、过渡金属或稀土金属。

7、如权利要求4所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层的杂质选自锂、铯、锶或钐。

8、如权利要求4所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层的杂质浓度为0.1至99重量百分比。

9、如权利要求4所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层的杂质浓度为0.1至30重量百分比。

10、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该掺杂缓冲层具有一厚度，其为1纳米至50纳米。

11、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该薄金属层具有一厚度，其为1纳米至20纳米。

12、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该薄金属层包含铝、银、钡、钙、镁/银合金、铝/锂合金或铝/钡合金。

13、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该透明电极具有一厚度，为10纳米至400纳米。

14、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该透明电极包含氧化铟锡或氧化铟锌。

15、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该有机电致发光材料层包含：

空穴注入层，设于该阳极上；

空穴传输层，设于该空穴注入层之上；

发光层，设于该空穴传输层之上；

电子传输层，设于该发光层：以及

电子注入层，设于该电子传输层。

16、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该有机电致发光元件为顶部发光元件或双面发光元件。

17、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该基底包含玻璃、塑胶薄板或金属薄板。

18、如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中该阳极包含氧化铟钖、氧化铟锌、金或铂。

19、一种有机发光显示器，其包含：

显示区域，包含如权利要求1所述的有机电致发光元件；

扫描线驱动器以及数据线驱动器，耦合于该显示区域：以及

控制电路，用来控制该扫描线驱动器以及该数据线驱动器以产生图像。

20、一种电子装置，其包含：

如权利要求19所述的有机发光显示器：以及

输入元件，用来提供图像数据给该有机发光显示器，以产生图像。