[发明专利]具有隐藏铰链的钢琴型微电子机械镜有效

专利信息
申请号: 200710090828.0 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101051114A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 约翰·迈克尔·米勒;巴里·科沃斯 申请(专利权)人: JDS尤尼弗思公司
主分类号: G02B26/08 分类号: G02B26/08;B81C1/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人: 郑小粤
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 隐藏 铰链 钢琴 微电子 机械
【权利要求书】:

1.一种微电子机械装置,包括:

平台,其在基片上方可绕相互垂直的第一轴和第二轴枢转;

底座,在所述平台下面从所述基片向上延伸;

第一扭转铰链;

平衡架,至少部分沿所述第一扭转铰链延伸,用于沿所述第一轴接收所述第一扭转 铰链的外端;以及

第二扭转铰链;

其特征在于:

所述第一扭转铰链由两个扭转梁构成,所述第一扭转铰链的两个扭转梁从所述底座 的相对面向外延伸,能使所述平台倾斜于所述第一轴;

所述第二扭转铰链由两个扭转梁构成,所述第二扭转铰链的两个扭转梁从所述平衡 架的相对面延伸,且所述第二扭转铰链的两个扭转梁的端部沿所述第二轴连接到从所述 平台下面向下延伸的裙板,能使所述平台绕所述第二轴滚动;和

所述第一扭转铰链和所述第二扭转铰链被完全设置在所述平台下面,以使相邻微电 子机械装置紧密组合在一起。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述平衡架和所述第一扭转铰链与第二扭转 铰链具有相同的厚度并彼此相邻,因此它们由单层材料制成。

3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一扭转铰链的扭转梁包括一对蛇状扭 转梁,它们沿所述第一轴从底座的相对侧延伸到与所述平衡架接触;并且其中所述第二 扭转铰链的扭转梁包括一对蛇状扭转梁,它们沿所述第二轴从所述平衡架的相对侧延伸 出。

4.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:

第一倾斜电极,其在所述第一轴一侧的平台下面,用于使所述平台倾斜于所述第一 轴;以及

滚动电极,其在所述第二轴一侧的平台下面,用于使所述平台相对于所述第二轴滚 动。

5.根据权利要求4所述的装置,进一步包括第二倾斜电极,其在所述第一轴一侧 相对的另一侧的平台下面,用于使平台相对于所述第一轴倾斜。

6.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一倾斜电极相对于所述平台的底面倾 斜。

7.根据权利要求6所述的装置,其中在所述第一倾斜电极的上面的平台的底面的 一部分是倾斜的。

8.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一倾斜电极包括双阶梯式电极。

9.根据权利要求8所述的装置,其中在所述第一倾斜电极的上面的平台的底部包 括两个阶梯腔。

10.根据权利要求4所述的装置,进一步包括串扰屏蔽,其从位于所述第一倾斜电 极的任何一侧上的基片延伸,以使相邻电极间的串扰最小化。

11.根据权利要求4所述的装置,进一步包括串扰屏蔽,其从位于所述第一倾斜电 极的任何一侧上的所述平台下表面延伸。

12.一种制造微电子机械装置的方法,包括如下步骤:

a)提供一种硅绝缘体SOI结构,其包括由第一蚀刻停止层分开的第一重叠晶片结 构和第二重叠晶片结构,所述第一重叠晶片结构和第二重叠晶片结构中的每一个包括支 撑基片、晶片层、以及其间的第二蚀刻停止层,其中所述第一重叠晶片结构和第二重叠 晶片结构的所述晶片层分别设置在所述第一蚀刻停止层的两侧;

b)从所述SOI结构的所述第二重叠晶片结构除去所述第二重叠晶片结构的支撑基 片和所述第二蚀刻停止层;

c)从所述第二重叠晶片结构的晶片层蚀刻平衡架和第一扭转铰链和第二扭转铰链, 包括除去包括第一蚀刻停止层的多余材料,留下所述平衡架,所述第一扭转铰链和所述 第二扭转铰链;

d)将所述SOI结构的余下的元件粘结到基片,提供基片层,其包括底座,所述底 座从所述基片层延伸;

e)将所述第一扭转铰链附加到所述底座;以及

f)除去所述第一重叠晶片结构的所述支撑基片和所述第二蚀刻停止层。

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