[发明专利]有机EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置，尤其适用于即使存在由混入异物等引起的有机EL层的漏泄通路产生的像素缺陷等发光效率低的像素的情况下，也能取得良好的图像的技术。 

背景技术

作为平板式显示装置，液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置(PDP)、场致发射式显示装置(FED)和有机EL显示装置(OLED)等处于实用化或实用化研究阶段。其中，有机EL显示装置是薄型轻量的自发光式显示装置，作为未来的显示装置是极有希望的显示装置。有机EL显示装置具有所谓的底部发光式和顶部发光式。这里，针对有源矩阵方式的有机EL显示装置来说明本发明，但关于发光层的结构，同样也能够适用于单纯矩阵方式等的有机EL显示装置。 

有机EL显示装置，在玻璃基板等绝缘基板的内表面，在按每个像素形成的一侧电极(下部电极)上，层叠按预定颜色发光的有机EL发光层，在其上成膜另一侧电极(上部电极)。通过在下部电极和上部电极之间施加电压，对有机EL发光层注入空穴和载流子，由此产生预定频率的发光。二维地配置该像素进行图像显示。作为公开了这种显示装置的文献，例如能够举出专利文献1。在专利文献1中公开过一种有机EL显示装置，该装置通过用显示数据控制图像的每1帧中的1个像素的亮度，来维持良好的动图像显示特性。 

图5是说明上述现有技术的有机EL显示装置的1个像素的驱动电路的图。图5的(a)是说明1个像素的电路图，图5的(b)是说明有机EL元件(OLED)的电极的图。在图5的(a)中，DTL是信号线，RSL是复位线(扫描线)，PWL是电源线，SWL是点亮 控制信号线。第1薄膜晶体管TFT1的栅极电极经像素电容CAP连接在信号线DTL上。第1薄膜晶体管TFT1也被称为驱动晶体管，其漏极电极连接在电源线PWL上，源极电极通过第2薄膜晶体管TFT2的漏极-源极连接在有机EL元件OLED的第1电极上。 

另外，在像素电容CAP与第1薄膜晶体管TFT1的连接点和该第1薄膜晶体管TFT1的源极电极之间连接有第3薄膜晶体管TFT3，在1帧期间的结束时刻，使像素电容CAP的蓄积电荷放电，以备下一信号。 

图5的(b)表示图5的(a)所示的有机EL元件的电极结构。有机EL元件是二极管，第1电极BEL例如为阳极，也称为下部电极(像素电极)，另外，第2电极UEL例如为阴极，也称为上部电极(连续电极)。在这些第1电极BEL和第2电极UEL之间设有机EL发光层。 

图6是说明在图5所示结构的有机EL显示装置中，像素产生漏泄时的像素缺陷的图。图6的(a)是图5所示的1个像素的驱动电路，图6的(b)是由图6的(a)的虚线包围的像素部PXC的放大图。由第2薄膜晶体管TFT驱动像素的下部电极BEL。图6的(c)表示在下部电极和上部电极之间产生漏泄通路时整个像素成为不发光(黑点缺陷)的状态。 

专利文献1：日本特开2003-122301号公报 

发明内容

在有机EL显示装置中，有机EL发光层中存在异物则不发光。该现象是在像素电极间混入异物，从而在电极之间形成电流的漏泄通路，造成全部像素不发光。当使用掩模在薄膜晶体管基板(TFT基板)上形成有机EL层时，不能够完全消除异物的混入。实际上，因为发生漏泄通路的区域为像素的一部分，所以可以期待将1个像素分割为多个小像素，使没有漏泄的余下的小像素正常地发光，就能降低像素缺陷。但是，仅仅缩小像素尺寸，像素电路分割的数目越多，越容易发生起因于像素电路的形成区域或像素电路的不良。 

本发明的目的在于提供一种以最小限度增加薄膜晶体管来减少像素缺陷的有机EL显示装置。 

本发明的具有多个有机EL元件的有机EL显示装置，其特征在于：上述有机EL元件形成在由视频信号线和扫描线所包围的区域，上述有机EL元件具有第1薄膜晶体管、通过像素的分割而被分割成多个的发光部、以及多个第2薄膜晶体管，上述被分割的多个发光部由上述第1薄膜晶体管驱动，上述被分割的多个发光部分别与上述第2薄膜晶体管相连接。 

本发明的具有多个有机EL元件的有机EL显示装置，其特征在于：上述有机EL元件形成在由视频信号线和扫描线所包围的区域，上述有机EL元件具有第1薄膜晶体管、被分割的发光部、多个第2薄膜晶体管，上述多个被分割的发光部包括上部电极、下部电极、以及形成在上述上部电极与上述下部电极之间的多个有机EL膜，上述多个被分割的上述发光部的每一个与一个上述第2薄膜晶体管对应。