[发明专利]降低可听噪声的电致发光灯用H-桥驱动器有效

专利信息
申请号: 200710090403.X 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101056486A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 道格拉斯·P·安德森;戴维·W·里特 申请(专利权)人: 麦奎尔有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方;刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 降低 可听 噪声 电致发光 驱动器
【权利要求书】:

1、一种用于电致发光(EL)灯的驱动器系统,其包括:

包含交替切换晶体管的H-桥,所述交替切换晶体管包括耦接在电压电源和所述EL灯的第一端子之间的第一上侧晶体管、耦接在所述电压电源和所述EL灯的第二端子之间的第二上侧晶体管、耦接在所述EL灯的第一端子和参考电压之间的第一下侧晶体管、及耦接在所述EL灯的第二端子和所述参考电压之间的第二下侧晶体管;以及

H-桥定序器,其产生用于控制所述第一上侧晶体管、所述第二上侧晶体管、所述第一下侧晶体管及所述第二下侧晶体管的导通的控制信号,以交替地切换所述交替切换晶体管,从而或者使所述第一上侧晶体管和所述第一下侧晶体管同时导通,或者使所述第二上侧晶体管和所述第二下侧晶体管同时导通,所述H-桥定序器切换所述交替切换晶体管以在所述EL灯的两端产生处于可听频率范围内某一频率的AC电压,

所述EL灯两端的AC电压具有其中上升沿和下降沿分别具有上升时间和下降时间的波形,

在由所述第一上侧晶体管、所述第一下侧晶体管、所述第二上侧晶体管和所述第二下侧晶体管组成的晶体管群组中,所述第一上侧晶体管、所述第一下侧晶体管、所述第二上侧晶体管和所述第二下侧晶体管中的至少两个导通一受到限制的电流,从而使所述EL灯两端的AC电压的上升时间和下降时间每一者均构成所述波形所占时间的5%与50%之间,其中所述波形的上升部分和所述波形的下降部分基本上呈线性,且其中所述上升部分和下降部分基本上相互对称,由此降低由所述EL灯两端的AC电压所导致的可听振动。

2、如权利要求1所述的系统,其中所述第一上侧晶体管为第一PMOS晶体管,所述第二上侧晶体管为第二PMOS晶体管,所述第一下侧晶体管为第一NMOS晶体管,且所述第二下侧晶体管为第二NMOS晶体管。

3、如权利要求2所述的系统,其中所述晶体管群组中的晶体管中的所述至少两者具有选通脉冲宽度,其限制流至所述EL灯的电流以设定所述上升时间和下降时间。

4、如权利要求2所述的系统,其中所述晶体管中的所述至少两者包括所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管。

5、如权利要求2所述的系统,其中所述晶体管中的所述至少两者包括所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管。

6、如权利要求1所述的系统,其中所述晶体管中的所述至少两者将控制端子连接至电流镜,每个电流镜均耦接至固定的电流源,所述电流镜使所述至少两个晶体管导通由所述固定电流源所产生的电流。

7、如权利要求6所述的系统,其中所述第一上侧晶体管为第一PMOS晶体管,所述第二上侧晶体管为第二PMOS晶体管,所述第一下侧晶体管为第一NMOS晶体管,且所述第二下侧晶体管为第二NMOS晶体管,

其中所述电流镜中的一者包括:

产生固定电流的第一固定电流源,第一电流镜PMOS晶体管将漏极连接至所述第一固定电流源,所述漏极还耦接至所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一电流镜PMOS晶体管的栅极,所述第一电流镜PMOS晶体管的源极耦接至所述电压电源,由此使所述第一PMOS晶体管在被所述H-桥定序器接通时导通大约与所述固定电流成比例的电流。

8、如权利要求6所述的系统,其中所述第一上侧晶体管为第一PMOS晶体管,所述第二上侧晶体管为第二PMOS晶体管,所述第一下侧晶体管为第一NMOS晶体管,且所述第二下侧晶体管为第二NMOS晶体管,

其中所述电流镜中的一者包括:

产生固定电流的第一固定电流源,第一电流镜NMOS晶体管将漏极连接至所述第一固定电流源,所述漏极还耦接至所述第一NMOS晶体管的栅极和所述第一电流镜NMOS晶体管的栅极,所述第一电流镜NMOS晶体管的源极耦接至所述参考电压,由此使所述第一NMOS晶体管在被所述H-桥定序器接通时导通大约与所述固定电流成比例的电流。

9、如权利要求1所述的系统,其进一步包括连接在所述电压电源和所述H-桥之间的电流镜,以用于限制通过所述晶体管的电流,其中由于所述电流镜导通受到限制的电流,因此所述晶体管群组中的晶体管中的所述至少两者导通受到限制的电流。

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