[发明专利]带隙参考电路和使用该带隙参考电路的温度信息输出装置有效

专利信息
申请号: 200710090274.4 申请日: 2007-04-17
公开(公告)号: CN101145068A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 郑椿锡 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨林森
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 参考 电路 使用 温度 信息 输出 装置
【权利要求书】:

1.一种带隙参考(BGR)电路,包括:

与温度成正比的电流产生部,配置成经由多个电流路径而产生与温度变化成正比的电流;

与温度成反比的电流产生部,配置成经由多个电流路径而产生与所述温度变化成反比的电流;

内部电压的参考电压产生部,配置成使用所述与温度成正比的电流产生部的电流以及所述与温度成反比的电流产生部的电流来产生用于内部电压的参考电压;以及

温度电压输出部,配置成输出对应所述温度变化的电压。

2.如权利要求1的BGR电路,其中所述与温度成正比的电流产生部包括:

第一晶体管组,包括共同耦合至电源端子的多个晶体管;

第二晶体管组,包括多个晶体管,其耦合于所述第一晶体管组的一些晶体管与接地端子之间且具有负温度系数特性;以及

电流控制器,配置成使用施加至所述第二晶体管组的晶体管的电压来控制所述第一晶体管组。

3.如权利要求2的BGR电路,其中所述电流控制器具有输出,且所述第一晶体管组的晶体管具有耦合至所述电源端子的源极和配置成接收所述电流控制器的输出的栅极。

4.如权利要求2的BGR电路,其中所述第一晶体管组的晶体管具有不同尺寸。

5.如权利要求2的BGR电路,其中所述第二晶体管组的晶体管作为二极管来工作,且所述二极管两端的电压具有负温度系数特性。

6.如权利要求1的BGR电路,其中所述与温度成反比的电流产生部包括:

多个晶体管,其共同耦合至电源端子;以及

电流控制器,配置成使用基于流经所述多个晶体管中的一个晶体管的电流的电压和所述与温度成正比的电流产生部的内部电压,来控制所述多个晶体管。

7.如权利要求6的BGR电路,其中所述多个晶体管具有不同尺寸,使得其产生预定的倍增因子。

8.如权利要求1的BGR电路,其中所述内部电压的参考电压产生部包括电阻器元件,其共同耦合至两个电流路径,其中所述电流路径中的一个电流路径处于所述与温度成正比的电流产生部中,而所述电流路径中的另一个电流路径处于所述与温度成反比的电流产生部中,且流经所述两个电流路径的电流的和根据温度而改变。

9.如权利要求8的BGR电路,其中与在所述与温度成正比的电流产生部的所述电流路径中的单位电流量相比,在所述与温度成反比的电流产生部的所述电流路径中的单位电流量具有较大的变化范围。

10.如权利要求1的BGR电路,其中所述温度电压输出部包括:

节点,所述温度电压由此输出;

晶体管,耦合于所述节点与电源端子之间;

电阻器,耦合于所述节点与接地端子之间;以及

电流控制器,配置成使用由所述电阻器分割的电压和所述与温度成正比的电流产生部的内部电压,来控制所述晶体管。

11.如权利要求1的BGR电路,进一步包括:

温度信息参考电压产生部,配置成使用所述与温度成正比的电流产生部的电流和所述与温度成反比的电流产生部的电流,来产生温度信息参考电压;以及

范围限制参考电压产生部,配置成使用所述温度信息参考电压来产生范围限制参考电压,以限制所述温度电压变化的范围。

12.如权利要求11的BGR电路,其中所述温度信息参考电压产生部包括电阻器元件,其共同耦合至两个电流路径,所述电流路径中的一个电流路径处于所述与温度成正比的电流产生部中,且所述电流路径中的另一个电流路径处于所述与温度成反比的电流产生部中,且流经所述两个电流路径的电流的和是常数而与温度无关。

13.如权利要求12的BGR电路,其中在所述与温度成反比的电流产生部的电流路径中的单位电流量具有与在所述与温度成正比的电流产生部的电流路径中的单位电流量相同的变化范围。

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