[发明专利]穿隧磁阻元件及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻元件，该磁阻元件包括顺次层叠的如下多个层：

底层；

反铁磁层；

第一钉扎磁层；

非磁性中间层；

第二钉扎磁层；

隧道势垒层；

自由磁层；以及

保护层，

所述磁阻元件是通过如下处理而制成的：顺次层叠所述多个层，并且在将所述非磁性中间层层叠在所述第一钉扎磁层上之前，对所述第一钉扎磁层进行平滑处理。

2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，执行所述平滑处理以提供0.3nm或小于0.3nm的中心线平均粗糙度Ra。

3.根据权利要求1或2所述的磁阻元件，其中，所述反铁磁层由Ir-Mn合金形成。

4.根据权利要求3所述的磁阻元件，其中，所述隧道势垒层由MgO形成。

5.一种磁阻元件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：顺序层叠底层、反铁磁层、第一钉扎磁层、非磁性中间层、第二钉扎磁层、隧道势垒层、自由磁层以及保护层；并且在层叠所述非磁性中间层之前对所述第一钉扎磁层进行平滑处理。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，在层叠所述非磁性中间层之前，再次层叠第一钉扎磁层。

7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其中，通过气体团簇离子束或反溅射方法执行所述平滑处理。

8.根据权利要求5或6所述的制造方法，其中，所述反铁磁层由Ir-Mn合金形成。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述隧道势垒层由MgO形成。

10.一种盘驱动器，该盘驱动器包括：

转动盘介质；

用于在所述盘上径向地移动读取/写入元件的致动器；以及

控制系统，

所述读取/写入元件具有用于读取的磁阻元件，所述磁阻元件包括如下一种磁阻元件，该磁阻元件包括顺次层叠的如下多个层：

底层；

反铁磁层；

第一钉扎磁层；

非磁性中间层；

第二钉扎磁层；

隧道势垒层；

自由磁层；以及

保护层，

该磁阻元件是通过如下处理而制成的：顺次层叠所述多个层，并且在将所述非磁性中间层层叠在所述第一钉扎磁层上之前，对所述第一钉扎磁层进行平滑处理。

11.根据权利要求10所述的盘驱动器，其中，执行所述平滑处理以提供0.3nm或小于0.3nm的中心线平均粗糙度Ra。

12.根据权利要求11所述的盘驱动器，其中，所述反铁磁层由Ir-Mn合金形成。

13.根据权利要求12所述的盘驱动器，其中，所述隧道势垒层由MgO形成。