[发明专利]形成异质结双极晶体管的方法及相关结构有效
| 申请号： | 200710089329.X | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101087000A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·A.·沃尔纳;托马斯·N.·亚当;斯蒂芬·W.·贝戴尔;乔尔·P.·德索扎;凯斯莱恩·T.·舍恩伯格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/737;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 异质结 双极晶体管 方法 相关 结构 | ||
1.一种使用多孔硅形成隔离区的结构，包括：
晶体硅本征基极，其延伸超出收集极区并在隔离区上方延伸。
2.根据权利要求1的结构，其中该隔离区包括多孔硅电介质。
3.根据权利要求1的结构，其中该隔离区包括氧化硅。
4.根据权利要求1的结构，其中该隔离区包括多孔硅。
5.一种使用多孔硅形成隔离区的方法，包括：
形成收集极区；
在收集极区内形成多孔硅区；
在收集极区上面形成晶体硅本征基极层，该本征基极层在多孔硅区的一部分上延伸以形成非本征基极；和
随后在多孔硅区内形成隔离区。
6.根据权利要求5的方法，其中多孔硅区的形成包括在一个区域中注入p型掺杂剂，以改变该多孔硅区。
7.根据权利要求6的方法，其中该多孔硅区的形成包括刻蚀该区域以形成多孔硅区。
8.根据权利要求7的方法，进一步包括在氢气环境中退火，从而在该多孔硅区的表面上形成单晶硅的肤层。
9.根据权利要求6的方法，其中该多孔硅区的形成进一步包括跨越收集极区及该区域生长轻掺杂的p型硅层，并刻蚀该区域以形成多孔硅区。
10.根据权利要求9的方法，进一步包括退火。
11.根据权利要求9的方法，其中硅层的厚度为50-300埃。
12.根据权利要求5的方法，其中隔离区的形成包括氧化该多孔硅区以形成多孔硅电介质。
13.根据权利要求5的方法，其中隔离区的形成包括除去该多孔硅区，并用电介质填充。
14.根据权利要求5的方法，其中隔离区的形成包括使用多孔硅区作为电介质。
15.一种形成异质结双极晶体管(HBT)的方法，该方法包括：
形成收集极区；
在收集极区内形成多孔硅区；
在收集极区之上形成晶体硅本征基极层，该本征基极层在多孔硅区的一部分上延伸以形成非本征基极；
在多孔硅区内形成隔离区；和
形成非本征基极层和发射极以完成该HBT。
16.根据权利要求15的方法，其中多孔硅区的形成包括在一个区域内注入p型掺杂剂，以改变该多孔硅区。
17.根据权利要求16的方法，其中多孔硅区的形成进一步包括：
刻蚀该区域以形成多孔硅区；和
在氢气环境中退火，以在多孔硅区的表面上形成单晶硅的肤层。
18.根据权利要求16的方法，其中多孔硅区的形成进一步包括跨越收集极区和该区域生长硅层，并刻蚀该区域以形成多孔硅区。
19.根据权利要求18的方法，其中硅层的厚度为50-300埃。
20.根据权利要求15的方法，其中隔离区的形成包括如下之一：
a)氧化多孔硅区以形成多孔硅电介质；
b)除去多孔硅区并用电介质填充；和
c)使用多孔硅区作为电介质。
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