[发明专利]用于制造球栅阵列器件的方法和球栅阵列器件无效
| 申请号: | 200710088756.6 | 申请日: | 2007-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN101051618A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
| 发明(设计)人: | S·G·朴 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 原绍辉;谭祐祥 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 阵列 器件 方法 | ||
技术领域
本发明一般地涉及电子部件,并且更特别地涉及用于制造球栅阵列器件的方法和球栅阵列器件。
背景技术
一种类型的半导体封装称作球栅阵列封装。球栅阵列封装包括允许该封装被表面安装到印刷电路板(PCB)或其它电子部件的焊球的面阵列。传统的球栅阵列封装是基于基底的并且提供有用于接收芯片的基底。已知两类将芯片安装到基底上的方法:线结合球栅阵列封装和倒装芯片球栅阵列封装。
通常,在线结合球栅阵列封装中,通过提供在芯片的不起作用的侧和基底的上部侧之间的粘合剂层将芯片接附到基底。基底的下部侧提供有用于电连接到外部电路的焊球。芯片和基底之间的电连接通过芯片上的结合盘和基底上的结合盘之间的结合线实现。
在倒装芯片球栅阵列封装中,芯片安装为其起作用的表面面向基底的上部表面。在芯片上的结合盘和基底上的结合盘之间设置用于电连接和机械固定的焊球。
全部两种环境通常通过模制化合物封闭。
传统地,在研磨晶片之后,通过切成块在晶片结构上独立背部侧芯片。在切成块之后,拾起芯片并且将其与上述事物中的多个其它芯片一起安装到共同的基底上。在模制过程之后,通过沿器件边沿锯切独立单一的器件。
传统的跳跃过程包括以下步骤:晶片背部研磨;晶片锯切;印刷;管芯接附;线结合或回流;模制;将焊球接附到基底的下部侧上;锯切模拟;和测试。
发明内容
本发明的实施例涉及用于制造半导体器件的方法。包括具有带有第一接触盘的起作用的侧的半导体芯片的半导体晶片在其起作用的侧的表面上覆盖有保护层。其后,从第一接触盘移除保护层。第一接触盘提供有连接元件。一方面,保护层保护芯片的起作用的侧。另一方面,保护层保留在第一接触盘的区域内的窗口打开并且支持连接元件的调节。连接元件设计为用于无基底安装到外部组件上。通过依靠切成块独立晶片上的芯片来无基底地完成半导体器件。
本发明的实施例还涉及包括具有带有第一接触盘的起作用的侧的管芯的半导体器件。保护层设置在起作用的侧的表面上并且提供有在第一接触盘的区域内的窗口。由此,第一接触盘的表面打开。连接元件设置在第一接触盘上。这些连接元件能够形成为用于将器件无基底地安装到外部组件上。
本发明的实施例允许在没有基底的情况下制造半导体器件。从而,需要更少的生产步骤并且大多数生产步骤能够在晶片级别继续。
下面通过示例性的实施例更加详细地解释本发明。
附图说明
为了更加完全地理解本发明及其优点,现在结合附图参考接下来的描述,其中:
图1示出了具有芯片的半导体晶片的正视图;
图2示出了具有再分布层的图1中的半导体晶片的详细的芯片的正视图;
图3示出了沿图2中的线III-III的图2所示的芯片的截面图;
图4示出了在起作用的侧上覆盖有阻焊剂的半导体晶片的正视图;
图5示出了具有阻焊剂层的图4所示的半导体晶片的详细的芯片的正视图;
图6示出了沿图5中的线VI-VI的图5所示的芯片的截面图;
图7示出了具有被刻蚀的阻焊剂层的半导体晶片的本发明的第一实施例;
图8示出了具有被刻蚀的阻焊剂层的图7所示的半导体晶片的详细的芯片;
图9示出了沿图8中的线IX-IX的图8所示的芯片的截面图;
图10示出了施加焊膏并且回流之后的半导体晶片的正视图;
图11示出了图10所示的半导体晶片的详细的芯片的正视图;
图12示出了沿图11中的线XII-XII的图11所示的芯片的截面图;
图13示出了支撑带上的独立的管芯;
图14示出了图13所示的管芯的截面图;
图15a-15c示出了将管芯安装到外部组件上的程序;
图16示出了具有在半导体晶片的背部侧上的聚酰胺层的半导体晶片的本发明的第二实施例;
图17示出了图16所示的半导体晶片的详细的芯片的正视图;
图18示出了沿图17中的线XVIII-XVIII的图17所示的芯片的截面图;
图19示出了用聚酰胺层7涂覆芯片背部侧的示意图;
图20示出了图16所示的半导体晶片的正视图,示出了在施加焊膏并且回流之后的起作用的侧;
图21示出了图20中的半导体晶片的芯片的正视图;
图22示出了沿图21中的线XXII-XXII的图21所示的芯片的截面图;
图23示出了支撑带上的独立的管芯;及
图24示出了图23所示的管芯的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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