[发明专利]有机存储装置及其制造方法

权利要求书

1. 有机存储装置，其包括：

第一电极；

第二电极；和

第一电极和第二电极之间的离子转移层。

2. 权利要求1的有机存储装置，其中所述离子转移层由电导率不大于约10^-12S/cm的有机材料形成。

3. 权利要求2的有机存储装置，其中所述有机材料是聚合物、共聚物或更高级的聚合物、单分子、低聚物、树状聚合物及其混合物。

4. 权利要求3的有机存储装置，其中所述聚合物是均聚物、共聚物或不同聚合物的混合物。

5. 权利要求3的有机存储装置，其中所述聚合物选自聚(2-乙烯基吡啶)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚乙烯基吡咯烷酮、聚烯丙基胺、聚乙烯胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺胺和聚酰亚胺。

6. 权利要求3的有机存储装置，其中所述树状聚合物为下式(1)的聚酰胺胺树状聚合物：

7. 权利要求3的有机存储装置，其中所述单分子选自联吡啶、吡啶、乙二胺、吡咯烷酮、环己烷氨基磺酸、卟啉、酞菁及其衍生物。

8. 权利要求1的有机存储装置，其中所述第一电极或第二电极由选自以下物质的材料制成：金、银、铂、铜、钴、镍、锡、铝、氧化铟锡、钛及其组合。

9. 权利要求1的有机存储装置，其中所述第一电极由选自以下物质的材料制成：钨(W)、WN、Ti、TiN、TiAlN、TiSiN、Ta、TaN、TaSiN、Ni、Cr、Ru、RuO₂、RuSiN、Ir、IrO₂、ITO、铝(Al)和氧化铟锡(ITO)，并且所述第二电极由选自以下物质的材料制成：金、银、铂、铜、钴、镍、锡和铝。

10. 权利要求1的有机存储装置，其中所述离子转移层连接到电极和二极管。

11. 权利要求10的有机存储装置，其中所述二极管是P-N二极管或Schottky二极管。

12. 制造有机存储装置的方法，其包括：

在覆盖基板的第一电极上形成离子转移层；和

形成与离子转移层接触的第二电极。

13. 权利要求12的方法，其还包括：

将电压施加到所述存储装置的两个电极上，以使金属离子从第二电极扩散到离子转移层中，由此允许离子转移层担当金属离子在其中扩散的固体电解质层。

14. 权利要求12的方法，其中所述离子转移层通过施涂能够携带金属离子的有机材料在溶剂中的溶液而形成。

15. 权利要求14的方法，其中所述有机材料的电导率不大于约10^-12S/cm。

16. 权利要求14的方法，其中所述有机材料是聚合物、共聚物或更高级的聚合物、单分子、低聚物、树状聚合物及其混合物。

17. 权利要求16的方法，其中所述聚合物是均聚物、共聚物或不同聚合物的混合物。

18. 权利要求16的方法，其中所述聚合物选自聚(2-乙烯基吡啶)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚乙烯基吡咯烷酮、聚烯丙基胺、聚乙烯胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺胺和聚酰亚胺。

19. 权利要求16的方法，其中所述树状聚合物为下式(1)的聚酰胺胺树状聚合物：

20. 权利要求16的方法，其中所述单分子选自联吡啶、吡啶、乙二胺、吡咯烷酮、环己烷氨基磺酸、卟啉、酞菁及其衍生物。

21. 权利要求14的方法，其中所述涂覆通过选自以下的涂覆方法进行：旋涂、喷涂、静电涂覆、浸涂、刮涂和辊涂。

22. 权利要求14的方法，其中所述溶剂选自水、氯仿、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、环戊酮、环己酮、甲基乙基酮、乙基溶纤剂乙酸酯、醋酸丁酯、乙二醇、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、氯苯、乙腈及其混合物。