[发明专利]椭圆发光二极管无效
| 申请号: | 200710087303.1 | 申请日: | 2007-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN101262034A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 邢陈震仑;洪荣豪 | 申请(专利权)人: | 葳天科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;G02B3/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
| 地址: | 台湾省桃园县平镇*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 椭圆 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种高功率发光二极管,特别是涉及一种可增加光照度的椭圆发光二极管。
背景技术
现有的发光二极管(LED),是借LED晶粒来产生光源,并由罩设在LED晶粒外周的LED透镜(Lens),辅助光源向外散射,以达到照明的使用效果。
参考图1,为第一种公知发光二极管极的半球形透镜(Lens)101,此为蓝色反射体型态(Lambertian Patten)。
参考图2,为第二种公知发光二极管极的扁平型的透镜(Lens)102。
参考图3,为第三种公知发光二极管极的翼型透镜(Lens)103。
参考图4,为第三种公知发光二极管极的侧向散射型的透镜(Lens)104。
参考图5,为第一种公知发光二极管极的立体花形的透镜(Lens)105。
上述五种发光二极管的透镜(Lens)101、102、103、104、105,虽然外形结构有别,但是,其共同的特色是,透镜(Lens)101、102、103、104、105的外周径一致,所以,当LED晶粒通电后,可借这些透镜(Lens)101、102、103、104、105以散射出对衬的光源。
由于一般发光二极管(LED)的透镜(Lens),均是散射出对衬的光形,这也是现有发光二极管的照射角度无法突破的原因。因而,导致在照明设备的运用上,需再配合其它光罩作二次光学,才能达到预期的需求光形。
发明内容
本发明的目的在于提供一种椭圆发光二极管,借以不对衬的光形,达到扩增光源的照射范围的目的,用以解决现有发光二极管的对衬光形,导致光照度有所局限的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种椭圆发光二极管,包含有一芯片主体与一发光二极管透镜。该发光二极管透镜,罩设在该芯片主体上,并具有一透射部。该透射部具有一长轴与一短轴,其中此长轴与短轴所散射出的光形比值大于或等于1.5至5之间。
本发明的椭圆发光二极管,将发光二极管透镜的长轴与短轴所散射出的光形角度比值设成大于或等于1.5至5之间,透射部在长轴与短轴方向延伸的部分,将可投射出不对衬的光形,而且还借助长轴部分,将照射光形更向外延伸,以扩增光源照射范围,而使椭圆发光二极管的光效率大幅提升。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为第一种公知发光二极管透镜的侧视图;
图2为第二种公知发光二极管透镜的侧视图;
图3为第三种公知发光二极管透镜的侧视图;
图4为第四种公知发光二极管透镜的侧视图;
图5为第五种公知发光二极管透镜的侧视图;
图6为本发明第一实施例的椭圆发光二极管的立体图;
图7为该第一实施例的侧视图;
图8为该第一实施例的另一侧视图;
图9为该第一实施例的该发光二极管透镜的剖视图;
图10为本发明第二实施例的发光二极管透镜剖视图;
图11为本发明第三实施例的发光二极管透镜剖视图;
图12为本发明的椭圆发光二极管的长轴X与短轴Y其光源照射角度的曲线图。
其中,附图标记:
101:透镜 102:透镜
103:透镜 104:透镜
105:透镜 100:椭圆发光二极管
110:基座 120:芯片主体
130:发光二极管透镜 130’:发光二极管透镜
130”:发光二极管透镜 131:透射部
1311:椭圆截面 132:水平凸缘
140:金属端子
具体实施方式
参考图6,为本发明的第一实施例的立体图。
参考图7,为该第一实施例的侧视图。
参考图6与图7,本发明该第一实施例的椭圆发光二极管100,功率至少1瓦特(W),并包含有一基座110、一芯片主体120、一发光二极管透镜130,以及二金属端子140。
该基座110为一绝缘体。
该芯片主体120为一导体(晶粒),并且载设于该基座110的顶面中间位置。
该金属端子140,设置于该基座110周侧,并与该芯片主体120构成电连接。
图8为该第一实施例的另一侧视图。
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