[发明专利]或非快闪存储器的字线驱动器

权利要求书

1.一种或非快闪存储器的字线驱动器，其与存储器阵列耦接，该存储器阵列具有若干组成为多个区段的存储器单元，且该各区段具有多个局部字线、通过多个字线驱动器与所述多个局部字线耦接的一个主字线以及多个仅有两个晶体管的局部字线驱动电路，所述多个局部字线的各局部字线分别经由所述多个仅有两个晶体管的局部字线驱动电路之一与该一个主字线耦接，其特征在于：所述仅有两个晶体管的局部字线驱动电路的每个由第一晶体管以及第二晶体管组成，该第一晶体管耦接于一个主字线和一个局部字线之间，且该第二晶体管耦接于一个局部字线和一个为非栅极端的第一偏压端之间。

2.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一偏压端与该每一区段内的该字线驱动器共连。

3.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第二晶体管为NMOS晶体管。

4.根据权利要求3的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该NMOS晶体管为具有三阱的晶体管。

5.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一晶体管为PMOS晶体管。

6.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一晶体管为NMOS晶体管。

7.根据权利要求6的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该NMOS晶体管为具有三阱的晶体管。

8.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一偏压端为接地端。

9.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，在编程的期间，该第一晶体管以及该第二晶体管会被分别施加一偏压，且未被选择的局部字线被施加接地偏压。

10.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，在编程的期间，未被选择的局部字线被施加负电压。

11.根据权利要求1的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，在编程的期间，未被选择的局部字线被施加正电压。

12.一种用于非易失性存储器局部字线的字线驱动电路的或非快闪存储器的字线驱动器，其与存储器阵列耦接，该存储器阵列具有若干组成为多个区段的存储器单元，且该各区段具有多个局部字线、通过多个字线驱动器与所述多个局部字线耦接的一个主字线以及多个仅有两个晶体管的局部字线驱动电路，其特征在于：所述仅有两个晶体管的局部字线驱动电路的每个由第一晶体管以及第二晶体管组成，该第一晶体管耦接于一个主字线偏压端以及一个局部字线之间，且该第二晶体管耦接于一个局部字线偏压端以及一个为非栅极端的第一偏压端之间。

13.根据权利要求12的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一晶体管以及该第二晶体管均为NMOS晶体管。

14.根据权利要求13的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该NMOS晶体管为具有三阱的晶体管。

15.根据权利要求14的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一偏压端为接地端。

16.根据权利要求12的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，该第一晶体管为PMOS晶体管且该第二晶体管为NMOS晶体管。

17.根据权利要求12的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，在编程的期间，未被选择的局部字线被施加接地偏压。

18.根据权利要求12的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，在编程的期间，未被选择的局部字线被施加负电压。

19.根据权利要求12的或非快闪存储器的字线驱动器，其中，在编程的期间，未被选择的局部字线被施加正电压。

20.一种非易失性存储器装置，包含有组织成多个存储器区块的或非快闪存储器单元阵列，该各区块含有多个区段，该各区段具有多个局部字线、通过多个字线驱动器与所述多个局部字线耦接的一个主字线以及多个仅有两个晶体管的局部字线驱动电路，其特征在于：该各局部字线通过其对应的局部字线驱动器与其对应的一个主字线耦接，所述仅有两个晶体管的局部字线驱动电路的每个由对应耦接于一个主字线以及一个局部字线之间的第一晶体管以及对应耦接于一个局部字线以及一个为非栅极端的第一偏压端之间的第二晶体管组成，该各晶体管自该一个主字线以及该一个第一偏压端中选择一偏压来传递。