[发明专利]发光二极管元件和发光系统及其发光二极管元件制作方法

权利要求书

1. 一种发光二极管元件，其特征在于，所述发光二极管元件包括：

一基底；

一半导体叠层，形成于所述基底的一第一表面，所述半导体叠层包含一具有第一导电性半导体层、一具有第二导电性半导体层及一半导体发光层介于前述两者之间；

一具有第一导电性接触层电性连接至所述具有第一导电性半导体层；及

一具有第二导电性接触层电性连接至所述具有第二导电性半导体层；

其中所述半导体叠层朝至少一方向延伸至所述发光二极管元件的周缘。

2. 根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含一反射片形成于所述基底相对于所述半导体叠层的一第二表面。

3. 根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于，自所述第二表面起，所述反射片具有至少一透光介电层及至少一金属层，所述透光介电层具有一折射系数小于所述基底的折射系数。

4. 根据权利要求3所述的发光二极管元件，其特征在于，所述透光介电层的厚度至少为0.1微米。

5. 根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于，所述反射片具有复数层透光介电层，所述这些透光介电层两两之间的折射系数呈高低周期性变化。

6. 根据权利要求5所述的发光二极管元件，其特征在于，与所述基底相邻的一所述透光介电层的折射系数小于所述基底的折射系数。

7. 根据权利要求5所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含至少一金属层形成于距所述基底最远端的一所述透光介电层的一表面上。

8. 根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述发光二极管元件具有一封装结构。

9. 根据权利要求8所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含一反射片形成于所述基底相对于所述半导体叠层的一第二表面。

10. 根据权利要求9所述的发光二极管元件，其特征在于，自所述第二表面起，所述反射片具有至少一透光介电层及至少一金属层，所述透光介电层具有一折射系数小于所述基底的折射系数。

11. 根据权利要求8所述的发光二极管元件，其特征在于，所述反射片具有复数层透光介电层，所述这些透光介电层两两之间的折射系数呈高低周期性变化。

12. 一种具有至少一发光二极管元件的发光系统，其特征在于，所述发光二极管元件包括：

一基底；

一半导体叠层，形成于所述基底的一第一表面，所述半导体叠层包含一具有第一导电性半导体层、一具有第二导电性半导体层及一半导体发光层介于前述两者之间；

一具有第一导电性接触层电性连接至所述具有第一导电性半导体层；及

一具有第二导电性接触层电性连接至所述具有第二导电性半导体层；

其中所述半导体叠层朝至少一方向延伸至所述发光二极管元件的周缘。

13. 根据权利要求12所述的具有至少一发光二极管元件的发光系统，其特征在于，还包含一反射片形成于所述基底相对于所述半导体叠层的一第二表面。

14. 根据权利要求13所述的具有至少一发光二极管元件的发光系统，其特征在于，自所述第二表面起，所述反射片具有至少一透光介电层及至少一金属层，所述透光介电层具有一折射系数小于所述基底的折射系数。

15. 根据权利要求13所述的具有至少一发光二极管元件的发光系统，其特征在于，所述反射片具有复数层透光介电层，所述这些透光介电层两两之间的折射系数呈高低周期性变化。

16. 根据权利要求15所述的具有至少一发光二极管元件的发光系统，其特征在于，与所述基底相邻的一所述透光介电层的折射系数小于所述基底的折射系数。

17. 根据权利要求15所述的具有至少一发光二极管元件的发光系统，其特征在于，还包含至少一金属层形成于距所述基底最远端的一所述透光介电层的一表面上。