[发明专利]控制应变半导体层中位错行为的结构和方法无效
| 申请号： | 200710086002.7 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101038933A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;D·K·萨达那;A·雷茨尼采克;J·P·德索萨;K·W·施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/78;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 应变 半导体 层中位错 行为 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
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