[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括：

第一基板，具有第一表面及与其相对应的第二表面；

一或多个发光二极管芯片，适于发射出光线，配置于该第一基板的该第一表面，且与该第一基板电连接；

第二基板，位于该第一基板的下方，该第二基板具有第三表面及与其相对应的第四表面，该第三表面面对该第二表面；以及

热电致冷元件，配置于该第一基板的该第二表面与该第二基板的该第三表面之间，以传导该发光二极管芯片运作时产生的热能。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该第一基板为硅基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该第一基板的该第一表面上具有凹槽，该发光二极管芯片配置于该凹槽中。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，还包括反射膜，该反射膜配置于该凹槽的侧壁与底部。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括扩散板，其中该扩散板配置于该第一基板的该第一表面上，且位于该发光二极管芯片的上方。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其中该扩散板的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括第一绝缘层，该第一绝缘层位于该第一基板的该第一表面上，且暴露出该发光二极管芯片。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该发光二极管芯片透过打线接合技术或倒装芯片接合技术与该第一基板电连接。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括封装胶体，该封装胶体位于该第一基板的该第一表面上，且覆盖该发光二极管芯片。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中该封装胶体的材料为环氧树脂或硅胶。

11.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该第二基板为硅基板。

12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该发光二极管芯片与该热电致冷元件电连接，以构成串联电路或是并联电路。

13.如权利要求12所述的发光二极管封装结构，还包括至少有源元件，其中该有源元件与该串联电路或该并联电路电连接。

14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其中该有源元件包括齐纳二极管、晶体管、互补式金属氧化半导体元件其中之一或其组合。

15.如权利要求12所述的发光二极管封装结构，还包括至少无源元件，其中该无源元件与该串联电路或该并联电路电连接。

16.如权利要求15所述的发光二极管封装结构，其中该无源元件包括电阻、电感、电容其中之一或其组合。

17.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该热电致冷元件包括：

第一图案化电极层，包括多个第一电极，该些第一电极配置于该第一基板的该第二表面上；

第二图案化电极层，包括多个第二电极，该些第二电极配置于该第二基板的该第三表面上；

多个N型半导体材料；以及

多个P型半导体材料，其中该些N型半导体材料与该些P型半导体材料以交错排列的方式配置于该些第一电极与该些第二电极之间，且与该些第一电极与该些第二电极电连接，以形成电流回路。

18.如权利要求17所述的发光二极管封装结构，其中该热电致冷元件还包括多个焊料，各该焊料配置于该N型半导体材料与该第一电极之间、该N型半导体材料与该第二电极之间、该P型半导体材料与该第一电极之间，以及该P型半导体材料与该第二电极之间。

19.如权利要求17所述的发光二极管封装结构，还包括第二绝缘层，该第二绝缘层位于该第一基板的该第二表面上，且暴露出该些第一电极。

20.如权利要求17所述的发光二极管封装结构，还包括第三绝缘层，该第三绝缘层位于该第二基板的该第三表面上，且暴露出该些第二电极。

21.如权利要求17所述的发光二极管封装结构，其中各该N型半导体材料与各该P型半导体材料的一端埋入该第一基板内。