[发明专利]多域垂直配向型像素结构及其制造方法

权利要求书

1. 一种多域垂直配向型像素结构，适于配置于基板上，该多域垂直配向型像素结构包括：

有源元件，配置于该基板上；

图案化像素电极，与该有源元件电性连接，其中该图案化像素电极具有主狭缝；以及

存储电容器，配置于该基板上且位于该主狭缝内，且该存储电容器电性连接至该有源元件。

2. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其中该存储电容器包括：

第一电容电极，对应该主狭缝而配置于该基板上；

绝缘层，覆盖该第一电容电极；以及

第二电容电极，对应该第一电容电极而配置于该绝缘层上，且该第二电容电极与该有源元件电性连接。

3. 如权利要求2所述的多域垂直配向型像素结构，其中该图案化像素电极具有多个与该主狭缝连接的细狭缝。

4. 如权利要求3所述的多域垂直配向型像素结构，其中该第一电容电极延伸至该些细狭缝内。

5. 如权利要求3所述的多域垂直配向型像素结构，其中该第二电容电极延伸至该些细狭缝内。

6. 一种多域垂直配向型像素结构的制造方法，包括：

提供一基板，具有有源元件预定区与狭缝预定区；

在该有源元件预定区内的该基板上形成栅极，并于该狭缝预定区内的该基板上形成第一电容电极；

在该基板上形成绝缘层，覆盖该栅极与该第一电容电极；

在该栅极上方的绝缘层上形成沟道层；

在该沟道层上形成源极/漏极，且分别位于该栅极的两侧，并在该狭缝预定区内的绝缘层上形成第二电容电极，其中该第二电容电极对应该第一电容电极而形成存储电容器；

在该基板上形成保护层，覆盖该源极、该漏极、部分的该沟道层、该绝缘层与该第二电容电极；

在该保护层中形成第一接触窗开口，以暴露出该漏极；以及

在该保护层上形成图案化像素电极，该图案化像素电极通过该第一接触窗开口而与该漏极电性连接，其中该图案化像素电极具有对应于该狭缝预定区的主狭缝。

7. 如权利要求6所述的多域垂直配向型像素结构的制造方法，其中在形成该第一电容电极时，还包括在该基板上形成共用配线，且该共用配线与该第一电容电极电性连接。

8. 如权利要求6所述的多域垂直配向型像素结构的制造方法，其中该漏极与该第二电容电极为相同膜层。

9. 如权利要求6所述的多域垂直配向型像素结构的制造方法，其中在形成该第一接触窗开口时，还包括在该保护层与该绝缘层中形成第二接触窗开口，以暴露出部分的该第一电容电极。

10. 如权利要求6所述的多域垂直配向型像素结构的制造方法，其中在形成该图案化像素电极时还包括在该图案化像素电极上且对应于该狭缝预定区内，形成多个与该主狭缝连接的细狭缝。