[发明专利]用于半导体集成电路的导电结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，该导电结构通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接；该导电结构包含：

一支撑层，覆盖该第一开口区域的一边缘，并定义出具有一第二横向尺寸的一第二开口区域；

一导体，形成于该第二开口区域内；以及

一导电层，其具有一中央区域及一周缘区域；

其中该中央区域形成于该导体与该衬垫之间；该周缘区域，形成于该中央区域的一外缘，且至少局部形成于该支撑层与该保护层之间；该周缘区域具有一第一部份及一第二部份，该中央区域及该周缘区域的第一部份，均具有一第一纵向尺寸，而该周缘区域的第二部份，具有一第二纵向尺寸；

其中该第二横向尺寸不大于该第一横向尺寸，该第二纵向尺寸大于该第一纵向尺寸。

2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于该支撑层具有一第三纵向尺寸，该导体具有一第四纵向尺寸，该第四纵向尺寸不小于该第三纵向尺寸。

3.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于该导电层是由钛钨合金制成。

4.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于该支撑层材料是选自PI与BCB的材料族群中。

5.一种制造用于一半导体集成电路的导电结构的方法，其中该半导体集成电路包含一衬垫，及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，该方法包含下列步骤：

(a)形成一支撑层，以定义具有一第二横向尺寸的一第二开口区域，其中该第二横向尺寸不大于该第一横向尺寸；以及

(b)形成一导体于该第二开口区域内，以使该导体通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于该步骤(a)实施前，还包含以下步骤：形成一导电层，使其一中央区域，位于该第一开口区域内。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于该形成一导电层的步骤，包含使其一周缘区域，至少局部形成于该支撑层与该保护层之间。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于该步骤(b)中，该导体是持续形成至该导体的一第四纵向尺寸，不小于该支撑层的一第三纵向尺寸为止。