[发明专利]固体摄像装置及其制造方法、及半导体装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200710085073.5 | 申请日: | 2007-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN101097934A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 南尾匡纪;丸尾哲正;糸井清一;福田敏行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/26;H01L23/10;H01L21/50;H01L21/54;C09J163/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 半导体 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于,包括:
固体摄像元件,其具备摄像区域和多个接合盘;
凹状衬底,其收容所述固体摄像元件;
多个连接端子,其设在所述衬底的凹部内;
Au引线,其电连接所述接合盘和所述连接端子;
透明部件,其配置在所述衬底的上面;
树脂胶粘剂,其用于接合所述衬底和所述透明部件,
所述树脂胶粘剂作为组成物含有环氧树脂、聚合引发剂、有机过氧化物,所述聚合引发剂含有以含卤素芳香族化合物为阴离子的盐。
2.一种固体摄像装置,其特征在于,包括:
固体摄像元件,其具备摄像区域和多个接合盘;
衬底,其装配所述固体摄像元件;
肋,其形成在所述衬底上;
多个连接端子,其设在所述衬底上;
Au引线,其电连接所述接合盘和所述连接端子;
透明部件,其配置在所述衬底的上方,且与所述肋的上面接合;
树脂胶粘剂,其用于接合所述肋的上面和所述透明部件,
所述树脂胶粘剂作为组成物含有环氧树脂、聚合引发剂、有机过氧化物,所述聚合引发剂含有以含卤素芳香族化合物为阴离子的盐。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述含卤素芳香族化合物是氟芳香族化合物。
4.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述含卤素芳香族化合物是氟芳香族化合物。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述含卤素芳香族化合物是硼酸盐化合物。
6.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述含卤素芳香族化合物是硼酸盐化合物。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述聚合引发剂的含有率大于0.5重量%且小于7重量%。
8.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述聚合引发剂的含有率大于0.5重量%且小于7重量%。
9.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述固体摄像元件的所述接合盘由Al电极构成,
所述Au引线和所述Al电极的接合界面的合金率是50%以上。
10.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述固体摄像元件的所述接合盘由Al电极构成,
所述Au引线和所述Al电极的接合界面的合金率是50%以上。
11.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述衬底是陶瓷衬底。
12.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述衬底是陶瓷衬底。
13.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述衬底是树脂衬底。
14.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述衬底是树脂衬底。
15.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述衬底的凹部的内部区域具备离子吸附剂。
16.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
在由所述衬底的上面和所述肋围成的区域具备离子吸附剂。
17.一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于,包括:
将具备摄像区域和多个接合盘的固体摄像元件装配在凹状衬底上的工序;
在所述衬底上形成连接端子的工序;
将所述固体摄像元件的所述接合盘和所述衬底的所述连接端子利用Au引线电连接的工序;
在所述衬底的上面涂敷含有以含卤素芳香族化合物为阴离子的盐的树脂胶粘剂的工序;
在所述衬底的上面设置透明部件,从所述透明部件的上面侧照射紫外线,使所述树脂胶粘剂固化的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





