[发明专利]增进图案均匀度的方法

权利要求书

1. 一种增进图案均匀度的方法，适用于一基底，该基底包括一图案密集区与一图案半空旷区，且该基底上已依序形成有一阻绝层与一底抗反射层，其特征在于该方法包括：

在该底抗反射层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层包括：

一第一光阻图案，位于该图案密集区；以及

一第二光阻图案，位于该图案半空旷区，

其中，该第二光阻图案的尺寸大于该第一光阻图案的尺寸；

进行一第一修剪步骤，微缩该图案化光阻层，同时，以该图案化光阻层为罩幕，移除部分该底抗反射层；以及

进行一第二修剪步骤，同时微缩该图案化光阻层与该底抗反射层，以缩小该第二光阻图案与该第一光阻图案的尺寸差。

2. 根据权利要求1所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的第一修剪步骤与该第二修剪步骤以该阻绝层作为终止层。

3. 根据权利要求1所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的第二修剪步骤同时也缩小该第二光阻图案与该第一光阻图案下方的该底抗反射层的尺寸差。

4. 根据权利要求1所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的阻绝层的材质包括氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。

5. 根据权利要求1所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的底抗反射层包括无机底抗反射层或有机底抗反射层。

6. 一种增进图案均匀度的方法，适用于一基底，该基底包括一图案密集区与一图案半空旷区，且该基底上已形成有一底抗反射层，其特征在于该方法包括：

在该底抗反射层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层包括：

一第一光阻图案，位于该图案密集区；以及

一第二光阻图案，位于该图案半空旷区，

其中，该第二光阻图案的尺寸大于该第一光阻图案的尺寸；

进行一第一修剪步骤，微缩该图案化光阻层，同时，以该图案化光阻层为罩幕，移除部分该底抗反射层，裸露出该基底表面，其中，该第一修剪步骤使用的一反应气体与裸露出的该基底表面反应生成一阻绝层；以及

以该阻绝层为终止层，进行一第二修剪步骤，同时微缩该图案化光阻层与该底抗反射层，以缩小该第二光阻图案与该第一光阻图案的尺寸差。

7. 根据权利要求6所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的第一修剪步骤与该第二修剪步骤以该阻绝层作为终止层。

8. 根据权利要求6所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的第二修剪步骤同时也缩小该第二光阻图案与该第一光阻图案下方的该底抗反射层的尺寸差。

9. 根据权利要求6所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的底抗反射层包括无机底抗反射层或有机底抗反射层。

10. 根据权利要求6所述的增进图案均匀度的方法，其特征在于其中所述的第二修剪步骤中，该第二光阻图案的微缩比例大于该第一光阻图案的微缩比例。