[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710079416.7 | 申请日： | 2007-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101262031A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 金泰润 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1. 一种氮化物半导体发光器件，包含：
发光器件芯片；和
在所述发光器件芯片的侧面上的反射层。
2. 根据权利要求1的器件，其中所述反射层形成在所述发光器件芯片的至少一个侧面上。
3. 根据权利要求1的器件，其中所述发光器件芯片包含具有表面不平坦的衬底。
4. 根据权利要求3的器件，其中所述表面不平坦包含条纹状和透镜状。
5. 根据权利要求1的器件，其中所述反射层包含化合物半导体层。
6. 根据权利要求1的器件，其中所述反射层包含AlxInyGaN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。
7. 根据权利要求1的器件，其中所述反射层包含多个层。
8. 根据权利要求1的器件，其中所述发光器件芯片具有至少一个以预定角度倾斜的侧面。
9. 一种氮化物半导体发光器件，包含：
发光器件芯片条；和
在所述发光器件芯片条的侧面上的反射层。
10. 根据权利要求9的器件，其中所述反射层形成在所述发光器件芯片条的至少一个侧面上。
11. 一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：
形成发光器件芯片条；和
在所述发光器件芯片条的侧面上形成第一反射层。
12. 根据权利要求11的方法，包括将所述发光器件芯片条分成多个发光器件芯片。
13. 根据权利要求12的方法，包括在没有形成所述第一反射层的分离发光器件芯片的至少一个侧面上形成第二反射层。
14. 根据权利要求11的方法，其中所述第一反射层形成在所述发光器件芯片条的至少一个侧面上。
15. 根据权利要求12的方法，其中所述发光器件芯片具有至少一个以预定角度倾斜的侧面。
16. 根据权利要求11的方法，其中所述第一反射层包含化合物半导体层。
17. 根据权利要求11的方法，其中所述第一反射层包含AlxInyGaN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。
18. 根据权利要求11的方法，其中所述第一反射层利用化学气相沉积形成。
19. 根据权利要求11的方法，其中所述第一反射层包含多个层。
20. 根据权利要求11的方法，其中通过改变载气和前体的流动或通过控制所述第一反射层的生长速度来控制所述第一反射层的表面粗糙度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710079416.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
