[发明专利]降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法

权利要求书

1、一种半导体储存装置，其包含：

一基板，其具有一第一导电型；

一第一区，其提供在该基板中，该第一区具有一第二导电型；

一第二区，其提供在该基板中且与该第一区间隔开，该第二区具有该第二导电型；

一通道区，其提供在该基板中且在该第一与第二区之间延伸；

第一绝缘层，其包括一第一材料且提供在该通道区上；

第二绝缘层，其包括一第二材料且提供在该第一绝缘层上，该第二绝缘层经配置以在对应于一第一位元的一第一部分中储存一第一电荷且在对应于一第二位元的一第二部分中储存一第二电荷；

一第三绝缘层，其提供在该第二绝缘层上；

一第一导电层，其提供在该第三绝缘层上；

一第四绝缘层，其提供在该第一导电层上；以及

一第二导电层，其提供在该第四绝缘层上。

2、如权利要求1所述的半导体储存装置，其中：

当将第一、第二和第三偏压分别施加到该第一区、该第二区和该第二导电层时，该第一电荷被储存在该第二绝缘层的该第一部分中，以及

当将第四、第五和第六偏压分别施加到该第一区、该第二区和该第二导电层时，该第二电荷被储存在该第二绝缘层的该第二部分中。

3、如权利要求1所述的半导体储存装置，其中，该第一材料包含一氧化物，且该第二材料包含一氮化物。

4、如权利要求1所述的半导体储存装置，其中，该第三绝缘层为一氧化物层，该第一导电层为一多晶硅层，且该第四绝缘层为一氧化物层。

5、如权利要求1所述的半导体储存装置，其中，该半导体储存装置经配置以作为实施NAND、NOR或JTOX数组的一部分。

6、如权利要求1所述的半导体储存装置，其中，该第一和第二导电层及该第三和第四绝缘层经配置以使得由将偏压施加到该第二导电层时，载子从该第二导电层遂穿到该第二绝缘层且该载子具有与该基板中多数载子相同的导电型。

7、如权利要求6所述的半导体储存装置，其中，该半导体储存装置具有一负初始临限电压。

8、一种操作半导体储存装置的方法，该半导体储存装置包含第一和第二位元元线、一闸极、一绝缘层和一基板，其中该闸极包括一第一导电层、第四绝缘层和第二导电层；该方法包含：

将第一、第二和第三偏压分别施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极，以促使载子从该闸极至该绝缘层，该载子具有与该基板中多数载子相同的导电型，以从而降低该半导体储存装置的临限电压。

9、如权利要求8所述的方法，其中，该临限电压为一负值。

10、如权利要求8所述的方法，其进一步包含：

由将第四、第五和第六偏压施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极而将一第一电荷储存在该绝缘层的一第一部分中；以及

由将第七、第八和第九偏压施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极而将一第二电荷储存在该绝缘层的一第二部分中。

11、如权利要求8所述的方法，其进一步包含：

将第四、第五和第六偏压施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极；

感测该绝缘层的一第一部分中的一第一电荷以回应于该第四、第五和第六偏压的施加；

将第七、第八和第九偏压施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极；以及

感测该绝缘层的一第二部分中的一第二电荷以回应于该第七、第八和第九偏压的施加。

12、如权利要求8所述的方法，其中，具有第一极性的一第一电荷储存在该绝缘层的一第一部分中，且具有该第一极性的一第二电荷储存在该绝缘层的一第二部分中，该方法进一步包含：

由将第四、第五和第六偏压分别施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极以促使一第三电荷到达该绝缘层的该第一部分上来进行该半导体储存装置的一第一擦拭操作，该第三电荷具有与该第一电荷相反的极性；以及

由将第七、第八和第九偏压分别施加到该第一位元线、该第二位元线和该闸极以促使一第四电荷到达该绝缘层的该第二部分上来进行该储存装置的一第二擦拭操作，该第四电荷具有与该第二电荷相反的该极性。