[发明专利]开口与介层窗开口的制造方法有效
| 申请号： | 200710079121.X | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246844A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 韩敬仁;罗文勋;邱永汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵燕力 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口 介层窗 制造 方法 | ||
1.一种开口的制造方法，其特征在于该制造方法包括：
提供一衬底，该衬底上已形成有一导电部与一介电层，该导电部由下而上至少包括一导体层与一保护层，该介电层覆盖住该导电部；
使用含有一高聚合物气体的一反应气体对该介电层进行一第一干式刻蚀步骤，于该保护层上形成一开口，该开口底部具有一初始尺寸，且该开口底面与该开口内壁夹一钝角；
进行一开口扩大步骤，使该开口底部达到一目标尺寸，该目标尺寸大于该初始尺寸，该目标尺寸与该初始尺寸的尺寸差小于该保护层的厚度，该开口至少未裸露出该导体层。
2.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：所述该钝角大于93°。
3.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该导体层的材质包括铝。
4.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该第一干式刻蚀步骤中，附着在该开口顶部内壁的聚合物多于附着在该开口底部内壁的聚合物。
5.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该开口扩大步骤包括一第二干式刻蚀步骤。
6.如权利要求5所述的开口的制造方法，其特征在于：于该第二干式刻蚀步骤中，该保护层与该介电层的刻蚀选择比介于0.92～1.2之间。
7.如权利要求5所述的开口的制造方法，其特征在于：该第二干式刻蚀步骤的反应腔压力高于该第一干式刻蚀步骤的反应腔压力。
8.如权利要求5所述的开口的制造方法，其特征在于：该第二干式刻蚀步骤的反应腔压力介于60～200mT之间。
9.如权利要求5所述的开口的制造方法，其特征在于：该第二干式刻蚀步骤使用的功率介于300～800W之间。
10.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该介电层的材质包括氧化硅。
11.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该保护层的材质包括钛/氮化钛。
12.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该高聚合物气体包括一氧化碳、八氟环丁烷。
13.如权利要求12所述的开口的制造方法，其特征在于：一氧化碳的流量介于90～400sccm之间，八氟环丁烷的流量介于12～20sccm之间。
14.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该反应气体更包括一清洁气体。
15.如权利要求14所述的开口的制造方法，其特征在于：该清洁气体包括氧气，且氧气的流量小于3sccm。
16.如权利要求1所述的开口的制造方法，其特征在于：该反应气体更包括氧气、氩气与三氟甲烷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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