[发明专利]半导体晶粒封装用引线框架之结构改良

权利要求书

1.一种半导体晶粒封装用引线框架之结构改良，其特征在于：其系在引线框架结构上，将压焊引脚与晶粒座直接联接，使晶粒热量不仅透过与晶粒座的接触及风扇进行散热，且更透过与压焊引脚的直接接触来进行热传导动作，另将该压焊引脚的宽度增大，增加与晶粒座接触的面积，可迅速达到散热效果，具有较佳的散热性。

2.依申请专利范围第1项所述之一种半导体晶粒封装用引线框架之结构改良，其中与晶粒座联接的金丝压焊引脚，其联接功率晶粒部份与无功率晶粒部份，采用了不同构造结构，另与晶粒座联接之压焊引脚宽度与其它引脚宽度不同，且最少要有两个以上之压焊引脚与晶粒座直接联接，又在该引线框架中包含了多个并列的压焊引脚，且在该压焊引脚等间距中有跳空引脚，另该压焊引脚部份在其被塑封塑料覆盖部份，且为了增强与塑封料的粘接强度，在其部份或全部增加了通孔的设计。

3.依申请专利范围第1项所述之一种半导体晶粒封装用引线框架之结构改良，其系在引线框架结构，除做上述之结构改良外，且保持与封装尺寸的对应关系，依照晶粒散热程度的不同，将该晶粒座设计为一大、一小共两个晶粒座，又对于放热大的晶粒，系采用较大之晶粒座，然而对于放热小的晶粒，采用较小的晶粒座，以节约材料消耗，更重要的是可以降低成本。