[发明专利]一种可调频段滤波器及其实现方法有效
申请号: | 200710077430.3 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101170206A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 唐瑞波 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可调 频段 滤波器 及其 实现 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种可调频段的滤波器及其实现方法,属于射频器件制造领域,特别涉及的是一种电路参数可调的滤波器及其实现方法。
背景技术
现有技术中人们对射频通讯系统的要求日益严格,为了提高系统的一些指标,设计起来方便,兼容频段的较宽,需要一种可调频段滤波器。
目前对谐波抑制的方式主要有2种方式:集中参数滤波器和分布参数滤波器。在100MHz~1GHz频段内,一般采用LC集中参数滤波器来实现,1GHz以上频段,一般采用分布式微带电路来实现滤波功能。100MHz-1GHz频段内,滤波器的原理图如图1所示,图2是图1相对应的PCB(印刷电路板)版图。这种的滤波器的优点是占用面积小,电路参数在PCB上可以调试,缺点是只能适用于100MHz-1GHz频段。1GHz以上频段滤波器的原理图如图3所示,该种设计的缺点是在PCB板出来后,电路性能不可调,一般不同频段的滤波器要做2块以上的试验板才能成功。
上面的两种实现方法主要受制于电容的Q值在高频的表现。
在高频的电感和电容中由于寄生参数的影响,可以把单个器件看作一个谐振网络,所以存在Q值。电感、电容的Q值=理想电感或者电容周期内耗能/寄生电阻周期内耗能=wL/r,其中的w并不代表谐振频率,而是任意频率。可以看出,当r一定时,在较高的频率时会获得比较好的Q值。当频率一定时,Q值越高则能获得较好的滤波特性或者较小的额外噪声引入值,Q值越高,频率选择性越好。一般用在高频电路中的电容电感要求都是要高Q值。但是现有电容的Q值在高频的性能都不是非常好,除了那些价格昂贵且电容值不齐全的微波电容。高频时LC滤波器的限制是电容,不是电感。
由于上述两种滤波器实现的电路形式不一样,相应PCB的布局也就差别很大,而这种差异如果在高集成度的射频板上实现的话,将会导致一个问题:不同频段的单板布局差异很大,设计阶段PCB工作量大。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可调频段滤波器及其实现方法,所要解决的技术问题是:克服上述的集中参数和分布参数滤波器存在的问题和缺点,提供一种集中参数和分布参数相结合的可调频段滤波器的实现方法。
本发明采用以下技术方案:
一种可调频段滤波器,其设置在一承载板上,其中,在输入端和输出端之间设置有分布式微带电容,由两微带线形成;并在该分布式微带电容上焊接设置有一集中参数电感。
所述的可调频段滤波器,其中,还设置有两个电容焊盘,用于焊接与所述分布式微带电容并联的集中参数电容。
所述的可调频段滤波器,其中,所述承载板为FR4玻璃纤维板。
一种可调频段滤波器的实现方法,其包括以下步骤:
A、在承载板上设置两微带线形成分布式微带电容,该两微带线分别连接输入端和输出端;
B、在所述两微带线之间焊接设置集中参数电感,选择所焊接的所述集中参数电感以适应频段的滤波。
所述的实现方法,其中,还包括步骤:
C、焊接设置与所述分布式微带电容相并联的集中参数电容,选择所焊接的所述集中参数电容以适应频段的滤波。
所述的实现方法,其中,所述集中参数电容设置为两个,设置在所述集中参数电感和所述分布式微带电容两侧。
本发明所提供的一种可调频段滤波器及其实现方法,由于采用集中参数和分布参数相结合的方式,吸取了两种形式滤波器的优点,实现可调频段滤波器的功能,与现有技术相比,取得了电路参数可调的进步,达到了适用不同频段都可以滤波的效果,在抑制度不是很高的情况下,可以在同一个单板上兼容不同频段,节省了成本,提高了稳定性、适合大规模的生产。
附图说明
图1是现有技术的LC滤波器的电路原理图;
图2是现有技术的LC滤波器的PCB结构图;
图3是现有技术的微带滤波器PCB结构图;
图4是本发明的集中参数和分布参数相结合的可调频段滤波器PCB结构图。
具体实施方式
以下结合附图,将对本发明的各较佳实施例进行更为详细的说明。
本发明可调频段滤波器及其实现方法,其装置的结构框图如图4所示,其包括了分布式微带电容,由微带线1和微带线2构成,该分布式微带电容可通过预先计算,针对不同的频段选择确定的微带线1和微带线2;一集中参数电感L、与所述分布式微带电容相并联的集中参数电容C2、C3。
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