[发明专利]半导体用镍基合金材料有效
| 申请号： | 200710075862.0 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101089213A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王佰忠 | 申请（专利权）人： | 王佰忠 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C23C14/14 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 胡清方 |
| 地址： | 518000广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 用镍基 合金材料 | ||
【权利要求书】：
1、一种镍基合金半导体发热材料，其特征在于含有重量百分比：镍50—64％、铋21—35％、钴10—23％和钛5—12％。
2、根据权利要求1所述的镍基合金半导体发热材料，其特征在于：镍55％、铋22％、钴15％和钛8％。
3、根据权利要求1或2所述的镍基合金半导体发热材料，其特征在于：所述半导体镍基合金材料的电阻值为0.5欧姆至50欧姆。
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