[发明专利]一种用于超级电容器的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种用于超级电容器的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法。其特征在于制备方法为：以普通活性炭为原料，置于管式炉中，先通入N₂，缓慢升温至400-800℃，再通入气相氧化剂，控制N₂与气相氧化剂的比例在一定范围内。保持一定的氧化时间，缓慢降温，即可得高中孔含量的活性炭材料。

2.根据权利要求1所述的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法，其特征在于所应用的原料为已炭化后的活性炭材料。

3.根据权利要求2所述的已炭化的活性碳材料，其特征在于微孔含量在10％以下，比表面积在700m²/g以下。

4.根据权利要求1所述的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法，其特征在于所应用的气相氧化剂为空气、氧气、或氯气中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法，其特征在于气相氧化剂为空气或氧气时，氧化时炉体内气氛控制表现为纯氧含量在5％-20％之间。

6.根据权利要求1所述的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法，其特征在于气相氧化剂为氯气时，氧化时炉体内气氛控制表现为氯气含量在10％-30％之间。

7.根据权利要求1所述的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法，其特征在于气相氧化时间范围为5-100小时。

8.根据权利要求1所述的高中孔含量活性炭电极材料的制备方法，其特征在于所制备的活性炭电极材料，比表面积在2000m²/g以上，中孔含量大于40％。