[发明专利]有机发光二极管制造方法有效
| 申请号： | 200710074232.1 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101295771A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 王世昌;黄荣龙 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
提供一绝缘基板；
在该绝缘基板上沉积一导电薄层，作为第一电极，该导电薄层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌；
在该第一电极上继续沉积该导电薄层，同时通入含氧的氧化性气体，形成第二电极，图案化该第一电极与第二电极，形成阳极；
在该阳极上形成一有机发光层；
在该有机发光层上形成一阴极。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该含氧的氧化性气体为氧气、水蒸气或二者的混合气体。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：形成的第一电极的厚度为1.3×10-7米。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：形成的第二电极的厚度为2×10-8米。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该第一电极的沉积方法为溅镀法。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该有机发光层采用旋涂法或喷墨打印法实现成膜。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：其进一步包括在该阳极与该有机发光层之间自下而上依次形成一空穴注入层与一空穴传输层的步骤。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该空穴传输层的材料为芳香多胺类化合物、三芳胺衍生物或聚苯胺。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：其进一步包括在该有机发光层与该阴极之间自下而上依次形成一电子传输层与一电子注入层的步骤。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该电子传输层的材料为具共轭平面的芳香族化合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
