[发明专利]偏光元件及其制备方法

权利要求书

1. 一种偏光元件，其包括一支撑体和一由支撑体支撑的偏光膜，其特征在于：该偏光膜包括至少一碳纳米管薄膜，该偏光膜中碳纳米管均沿同一方向定向排列。

2. 如权利要求1所述的偏光元件，其特征在于，该碳纳米管薄膜的层数大于10层。

3. 如权利要求1所述的偏光元件，其特征在于，该碳纳米管薄膜的厚度为0.01～100微米。

4. 如权利要求1所述的偏光元件，其特征在于，该碳纳米管薄膜为多个首尾相连的碳纳米管束以择优取向排列形成的薄膜结构。

5. 如权利要求1所述的偏光元件，其特征在于，该支撑体为固定框架或透明基板。

6. 一种偏光元件的制备方法，其包括以下步骤：

提供一支撑体；

提供至少一层碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中碳纳米管均沿同一方向排列；以及

将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件。

7. 如权利要求6所述的偏光元件的制备方法，其特征在于，进一步将多层碳纳米管薄膜沿相同方向重叠地粘附固定于支撑体形成偏光元件，该偏光元件中碳纳米管均沿同一方向排列。

8. 如权利要求6所述的偏光元件的制备方法，其特征在于，上述碳纳米管薄膜的制备方法包括以下步骤：

提供一碳纳米管阵列；

从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管束；以及

以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该多个碳纳米管束，以形成一连续的碳纳米管薄膜。

9. 如权利要求8所述的偏光元件的制备方法，其特征在于，上述碳纳米管阵列的制备方法包括以下步骤：

提供一平整基底；

在基底表面均匀形成一催化剂层；

将上述形成有催化剂层的基底在700～900℃的空气中退火约30分钟～90分钟；以及

将处理过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到500～740℃，

然后通入碳源气反应约5～30分钟，生长得到高度为200～400微米的碳纳米管阵列。

10. 如权利要求6所述的偏光元件的制备方法，其特征在于，进一步包括用有机溶剂处理该偏光元件中的碳纳米管薄膜。

11. 如权利要求10所述的偏光元件的制备方法，其特征在于，上述使用有机溶剂处理碳纳米管薄膜的方法包括通过试管将有机溶剂滴落在碳纳米管薄膜表面浸润整个碳纳米管薄膜，或将上述形成有碳纳米管薄膜的支撑体整个浸入盛有有机溶剂的容器中浸润。

12. 如权利要求11所述的偏光元件的制备方法，其特征在于，上述有机溶剂为乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。