[发明专利]制备AR膜的生产线

权利要求书

1. 一种制备AR膜的生产线，包括磁控溅射制备AR膜生产线，其中所述生产线包括有上片、卸片百级净化间，进出片真空室、过渡真空室、高真空室、镀膜真空室、折返前过渡真空室、折返真空室和设置在真空室内的基片架进、出片传送装置，传送装置上设有基片架，基片架上固定有基片，其中在进出片真空室设置有进片旋转门阀和出片旋转门阀，在进出片真空室与过渡真空室之间、高真空室与镀膜室之间分别设置有高真空插板门阀，在各真空室的法兰上分别开有窄型法兰口；在所有镀膜真空室的进片传送装置与出片传送装置之间设置带抽气口的防溅射隔板；在镀膜真空室上设置有两套柱状磁控溅射源；高真空室内设置有低温气体吸附冷板；在折返前过渡真空室设置有膜层质量在线检测仪器；进出片真空室和折返真空室分别连接有初抽真空泵组；高真空室、镀膜真空室、过渡真空室、折返真空室分别配置有分子泵。

2. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述溅射源包括中频柱状旋转磁控溅射源。

3. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是镀膜真空室的两侧分别设置有溅射源或分子泵。

4. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述与镀膜真空室连接的高真空室内设置有低温气体吸附冷板；所述镀膜真空室的防溅射隔板上设有冷却水管。

5. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述折返真空室的基片架从进片传送装置平移或回转到出片传送装置。

6. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述进出片真空室与过渡真空室间的高真空插板门阀开启真空度设置为低于10Pa。

7. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述高真空室在镀膜前的背景真空度为低于10^-4Pa；镀膜真空室、折返前过渡真空室、折返真空室在镀膜前的背景真空度为低于3×10^-3Pa；

8. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述镀膜真空室设置的溅射源数量根据产品和工艺要求可做调整。

9. 如权利要求1所述的制备AR膜的生产线，其特征是所述镀膜真空室可以根据产品和工艺要求增减。