[发明专利]闪存存储卡

说明书

技术领域

本发明涉及数码产品中使用的数据存储装置，更具体地说，涉及闪存存储卡，特别是RS-MMC卡。

背景技术

随着数码产品的发展，手机(移动电话)的功能也越来越多，很多新款手机都具有拍照、游戏、上网、处理office文件等功能，这使得手机内置的存储器越来越不能满足需求。解决的办法是通过外部设备来增加手机的存储容量，特别是可插拔的闪存(FLASH)存储卡。由于手机本身体积较小，通常不能采用SD卡、MMC卡这样体积较大的存储卡，而是使用RS-MMC卡或Mini SD卡。

另一方面，手机提供给扩展的闪存(FLASH)存储卡的电压并不相同，有的手机提供的电压较高，如3.3V，有的手机所能提供给扩展的闪存(FLASH)存储卡(例如RS-MMC卡)的电压较低，如1.8V，虽然RS-MMC卡内的主控芯片在1.8V和3.3V均可以工作，但绝大多数标准TSOP封装的闪存(FLASH)存储芯片之工作电压均较高，例如3.3V；虽然也有少量的1.8V工作电压的标准TSOP封装的闪存(FLASH)存储芯片可以在上述较低电压环境使用的闪存(FLASH)存储卡中使用，但其价格高、采购周期长，从而使整个闪存(FLASH)存储卡的成本加高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术低电压供电环境下使用的闪存存储卡成本较高的缺陷，提供一种在低电压环境中使用的较低成本的闪存存储卡。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种闪存存储卡，包括外壳、位于所述外壳内的电路板，位于所述电路板上的主控芯片、闪存存储芯片、与外界相连的连接器和多个电子元件通过所述电路板上的预制铜箔相连而形成的存储卡电路，所述连接器包括连接器电源端和连接器接地端，所述主控芯片和存储芯片分别包括至少一个电源供给端和至少一个接地端，所述连接器接地端和上述芯片接地端相互连接，上述存储卡电路还包括升压电路，所述升压电路包括输入端、输出端和接地端，其输入端连接在所述连接器的电源端，其输出连接在所述主控芯片和闪存存储芯片的电源供给端，其接地端与所述连接器的接地端相连，所述升压电路将所述连接器电源端上的输入电压升高到所述闪存存储芯片所要求的电压后供给所述主控芯片和闪存存储芯片。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述升压电路包括升压集成模块、电感、电容和二极管；所述升压集成模块包括升压集成模块输入端、升压集成模块输出端和升压集成模块接地端，所述连接器的电源端连接在所述电感的一端，所述电感的另一端连接在所述升压集成电路的输入端，所述升压集成电路的输出端连接到所述升压电路的输出端；所述电容连接在所述升压集成模块输出端和升压集成模块接地端之间；所述二极管连接在所述升压集成模块输入端和升压集成模块输出端之间，其正极与所述升压集成模块输入端连接；所述升压集成模块的接地端和所述升压电路的接地端相互连接。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述升压电路的输入电压包括1.8伏，输出电压包括3.3伏。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述闪存存储芯片的封装包括标准TSOP封装，其工作电压为3.3伏，所述闪存存储芯片的引脚和电路板接触部分与所述闪存存储芯片的底面在同一水平面上。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述闪存存储芯片的容量包括32M、64M、128M、256M、512M、1G、2G或4G中的任意一种。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述主控芯片包括工作电压为3.3伏的、LGA封装的SK66X2或SMI26X。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述升压集成电路包括型号为AME8805的集成电路。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述外壳和所述电路板通过热熔胶粘合为一体，所述热熔胶包括3M公司的615S或SONY公司的NP605。

在本发明所述的闪存存储卡中，所述与外界相连的连接器包括所述电路板上铜箔形成的插脚。

本发明的有益效果是，由于在本发明的闪存存储卡中加入了升压电路，使输入到闪存存储卡的较低输入电压上升到闪存存储芯片所需要的工作电压，使较高的工作电压的闪存存储芯片可以在用于较低输入电压环境中使用，从而减少整个闪存存储卡的成本。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是本发明闪存存储卡实施例的结构示意图。

具体实施方式