[发明专利]高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法

权利要求书

1.一种高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：先用丙酮或水清洗铝合金表面，然后将清洗后铝合金置于不锈钢电解槽中作为阳极，不锈钢电解槽作为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，电流密度控制在0.5～30A/dm²，正向电压240～1000V，电源频率50～3000Hz，占空比10～50％，通过冷却循环水控制电解液的温度不超过30℃，电解液的pH值控制在8～12之间，微弧氧化反应5～180min，即可在铝合金表面原位生长一层高太阳吸收率高发射率陶瓷涂层。

2.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于电流密度控制在10～25A/dm²。

3.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于电源频率100～1500Hz。

4.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～30g的铝酸钠。

5.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～10g的硅酸钠。

6.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～30g的磷酸二氢钾。

7.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～30g的铝酸钠和0.5～10g的硅酸钠。

8.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～30g的铝酸钠和0.1～5g的钼酸钠。

9.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～30g的铝酸钠、0.5～10g的氢氧化钾和0.5～30g的硅酸钠。

10.根据权利要求1所述的高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法，其特征在于每升电解液里含有0.5～20g的磷酸二氢钾、0.5～20g的亚铁氰化钾和0.5～20g的钨酸钠。