[发明专利]益生菌高密度培养过程中的化学去胁迫技术

权利要求书

1.本发明专利名称为益生菌高密度培养过程中的化学去胁迫技术，是对益生菌高密度培养的一种简便、实用增菌技术进行保护。

2.根据权利要求1所述的益生菌，是嗜酸乳杆菌(L.acidophillus)或两歧双歧杆菌(B.bifidum)。

3.根据权利要求1所述的化学去胁迫技术，是利用碱性盐——柠檬酸钠或者碳酸钙来消除发酵过程所产生的乳酸对嗜酸乳杆菌所具有的胁迫作用，或者是利用抗氧化剂——异抗坏血酸和抗坏血酸来消除溶氧对两歧双歧杆菌所具有的胁迫作用。它们的添加方法主要是采用发酵前加入，也可以根据它们的性质特征，在发酵中期加入。

4.根据权利要求3所述的各类化合物的添加水平各有不同。对于嗜酸乳杆菌，各种化合物的添加方式分别是：发酵前加入碳酸钙5g·L^-1，或加柠檬酸钠液至pH6.9；发酵中期加入柠檬酸钠液至pH5.9。对于歧双歧杆菌，发酵前加入异抗坏血酸和抗坏血酸3.2g·L^-1或者1.6g·L^-1。添加这些化学物质后，益生菌活菌体增加倍数相比于对照样可以达到2～4倍。

5.根据权利要求1所述，在进行益生菌的高密度培养时，其大致技术方法与条件为：

(1)嗜酸乳杆菌的高密度培养方法1

1)配制1.6L的12％脱脂乳培养基。

2)在培养基中添加20％的柠檬酸钠溶液或者是碳酸钙固体。如果是加入柠檬酸钠溶液，则至培养基pH至6.9；如果是加入碳酸钙固体，则加入量选择为5g·L^-1。

3)脱脂乳培养基按照115℃×15min的灭菌条件进行灭菌处理。

4)按2％的量接种嗜酸乳杆菌，在发酵罐中进行发酵培养。

5)培养条件为37℃、搅拌速度为100r·min^-1，培养时间为19h。

(2)嗜酸乳杆菌的高密度培养方法2

1)配制1.6L的12％脱脂乳培养基，按照115℃×15min的灭菌条件进行灭菌处理。

2)按2％的量接种嗜酸乳杆菌，在发酵罐中进行发酵培养。

3)培养条件为37℃、搅拌速度为100r·min^-1，总培养时间为19h。

4)培养8h时，向培养基中添加灭菌的20％柠檬酸钠溶液，至培养基的pH为5.9。

(3)两歧双歧杆菌高密度培养方法

1)配制1.6L的12％脱脂乳培养基。

2)向培养基中添加异抗坏血酸钠或是抗坏血酸钠，加入量分别达到3.2g·L^-1或者是1.6g·L^-1，按照115℃×15min的灭菌条件进行灭菌处理。

3)按5％的接种量接种两歧双歧杆菌，在37℃、100r·min^-1条件下培养24h。