[发明专利]Sb掺杂生长p型Zn1－xMgxO晶体薄膜的方法

权利要求书

1.Sb掺杂生长p型Zn_1-xMg_xO晶体薄膜的方法，其特征是包括以下步骤：

1)称量纯度≥99.99％的ZnO、MgO和Sb₂O₃粉末，其中Mg的摩尔百分含量x为0＜x＜20％，Sb的摩尔百分含量y为0＜y＜5％，将上述粉末球磨混合均匀、压制成型，然后在1000～1300℃温度下烧结，得掺Sb的Zn_1-xMg_xO陶瓷靶；

2)将步骤1)制得的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至10^-3Pa，衬底加热升温到300～500℃，生长室通入纯氧气，控制压强为0.1～1Pa，开启激光器，让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，形成余辉，沉积在衬底上，制得Sb掺杂的p型Zn_1-xMg_xO晶体薄膜，在氧气氛下冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的Sb掺杂生长p型Zn_1-xMg_xO晶体薄膜的方法，其特征是所说的衬底是氧化锌、蓝宝石、硅或石英。