[发明专利]一种硫酸镁废液治理及联产活性氧化镁的方法无效
| 申请号: | 200710065932.4 | 申请日: | 2007-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN101104521A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
| 发明(设计)人: | 范兴祥;汪云华;陈家林;董保生;赵家春;关晓伟;吴晓峰;顾华祥 | 申请(专利权)人: | 昆明贵金属研究所 |
| 主分类号: | C01F5/02 | 分类号: | C01F5/02;C01F5/06;C01F5/12;C01B17/69 |
| 代理公司: | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人: | 赛晓刚 |
| 地址: | 650106云南省昆明市高*** | 国省代码: | 云南;53 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硫酸镁 废液 治理 联产 活性 氧化镁 方法 | ||
技术领域 本发明涉及冶金领域,特别是涉及硫酸镁废液治理及活性氧化镁的制备方法。
背景技术 活性氧化镁,亦称轻烧氧化镁,已经广泛应用于化工、造纸、橡胶、医药、畜牧业、建材冶金以及耐火材料等领域。目前,因原料路线互不同,公知的开发主要有以下几种制备方法:
白云石-碳酸化法:胡庆福等人在《无机盐工业》2004年第36卷第6期公知了白云石碳化法生产活性氧化镁的方法,将白云石(xMgCO3·yCaCO3)或菱镁矿(MgCO3)煅烧在1000~1100℃,加水消化制得Mg(OH)2及Ca(OH)2,用CO2碳化得到碳酸氢镁和副产碳酸钙。除去碳酸钙后母液(重镁水),再经热解,得到碱式碳酸镁,再经500~900℃煅烧8~10h,可制得轻质氧化镁。
该法特点是流程长,设备庞大,但原料便宜易得,生产成本较低。工业生产中广泛采用该法。
卤水-碳铵法:用卤水为原料,利用碳酸铵或碳化氨水生产轻质氧化镁。卤水经净化后和碳铵进行复分解反应1~4h,生成碳酸镁沉淀。用去离子水洗涤沉淀后,将碳酸镁进行干燥煅烧800℃~900℃得到轻质氧化镁。该法工艺较为简单,操作方便,产品质量高,建厂不受原料产地的限制,但生产成本较高。
卤水-氨水法:张近在《化学工程.1999》第27卷第2期公知了以MgCl2·6H2O和分析纯NH3·H2O为原料,采用直接沉淀法的实验过程如下:首先将MgCl2·6H2O配制成一定浓度的溶液,在一定温度和充分搅拌的条件下滴加适量的沉淀剂分析纯NH3·H2O,待反应完全后进行过滤、洗涤,经酸化了的AgNO3检验无CI-时得到Mg(OH)2沉淀,经真空干燥脱去吸附水,再煅烧后制得氧化镁,产品粒径在20~100nm之间,平均粒径62nm,粒子外形以球形为主。
采用精制过的卤水与氨反应生成氢氧化镁沉淀,将反应后物料进行过滤得氢氧化镁反应母液。氢氧化镁经洗涤、烘干,煅烧得轻质氧化镁。
该法优点是工艺较为简单。缺点是能耗及生产成本较高,建厂受到原料产地限制。
硫酸镁-氨法:胡章文等人在《安徽工程科技学院学报》2004年第19卷第4期公开了以蛇纹石为原料,通过酸浸、净化得到纯净的硫酸镁,采用氨水沉淀法制备氢氧化镁,经煅烧得高纯氧化镁。正交实验确定了沉淀反应与煅烧的最优工艺条件:反应温度50℃,反应时间40min,精制硫酸镁溶液浓度1.5mol/L,煅烧时间3h。在此条件下,反应最终产物氧化镁的纯度达到99%以上,满足了高纯氧化镁的要求。该方法工艺流程简单,产品质量稳定,适应于工业化生产,有很大的发展前景。
卤水-石灰法:王路明在《海湖盐与化工》2001年第30卷第1期报道了以卤水为原料,以石灰或白云石为沉淀剂,生成氢氧化镁沉淀。沉淀经过滤、洗涤、烘干及煅烧得轻质氧化镁。即利用精制的卤水和石灰乳做原料,通过严格控制反应的pH值和反应时间,在四个不同的反应时间段进行沉淀反应。滴加絮凝剂使Mg(OH)2料浆快速沉降,经洗涤、过滤。在较低的温度下(800℃)煅烧仆,最终制得的MgO颗粒在60nm-80nm之间,符合超细颗粒的要求。
水镁石生产氧化镁法:郭如新在《海湖盐与化工》2000年第29卷第2期阐述了水镁石生产氧化镁的方法,即取200目水镁石粉30g,用1L水调浆。在15℃条件下以1.25MPa的压力碳化1h。按水镁石有效成份62%MgO计,转化率为78%。然后在98℃下进行热解,形成碱式碳酸镁,收率在99%以上。进而进行干燥和煅烧,在215℃干燥时脱去结晶水,进一步升温至532℃脱除CO2,当温度达到590℃,碱式碳酸镁中的CO2和H2O全部脱除,形成轻质氧化镁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明贵金属研究所,未经昆明贵金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710065932.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





