[发明专利]δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法

权利要求书

1. 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；

步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；

步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；

步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；

步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；

步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；

步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。

2. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述的生长温度为200-500℃，衬底烘烤的时间不小于10分钟。

3. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述生长压强为20-200托。

4. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述生长温度为200-500℃。

5. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述衬底为蓝宝石或硅、III-V族材料、陶瓷、玻璃、氧化锌。

6. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述锌源为二乙基锌或者二甲基锌。

7. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述氧源为氧气或者离化的二氧化碳。

8. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述氮源为氨气或联氨、离化的氮气、离化的一氧化氮。

9. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述在步骤3和步骤5中生长ZnO:N薄膜的厚度为20nm-100nm。

10. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中在步骤4中生长氮化锌薄层厚度为1nm-20nm。

11. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，其中所述在步骤6中重复步骤5、步骤5时可以改变步骤4、步骤5中ZnO:N层和氮化锌层的厚度，生长达到需要的厚度时，最终氮化锌的层数比ZnO:N层数少1层。

12. 如权利要求1所述的δ掺杂制备P型氧化新薄膜的方法，其特征在于，其中所述步骤7中的退火，退火温度在500℃-900℃，退火时间不少于30分钟。