[发明专利]减少磁共振温度成像中温度误差的方法和装置

权利要求书

1. 一种减少磁共振温度成像中温度误差的方法，用于磁共振监控的高强度聚焦超声HIFU治疗，其特征在于，包括：

对HIFU治疗头在两个或两个以上位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图；

根据所述HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图和HIFU治疗头在该位置时生成的加热像计算加热区域的温度变化。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HIFU治疗头在一维方向上移动；

所述对HIFU治疗头在两个或两个以上位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图包括：

对HIFU治疗头在两个位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图。

3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对HIFU治疗头在两个位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图包括：

按照下式计算HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图：

Φ_rx＝Φ_r1+(Φ_r2-Φ_r1)(X-X1)/(X2-X1)；

其中，X为所述HIFU治疗头的移动位置，X1和X2分别为所述两个生成参考像时HIFU治疗头的位置，Φ_rx为所述HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图，Φ_r1和Φ_r2分别为所述HIFU治疗头在两个位置时生成的参考像的相位图。

4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HIFU治疗头在二维方向上移动；

所述对HIFU治疗头在两个或两个以上位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图包括：

根据所述两个或两个以上生成参考像时HIFU治疗头的位置确定两个或两个以上插值参考像的位置；

对所述HIFU治疗头在两个或两个以上位置时的参考像进行插值，分别得到所述两个或两个以上插值参考像的相位图；

利用所述两个或两个以上插值参考像的相位图计算所述HIFU治疗头移动位置上的参考像的相位图。

5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据两个或两个以上生成参考像时HIFU治疗头的位置确定两个或两个以上插值参考像的位置包括：

从HIFU治疗头移动位置向生成参考像时HIFU所处的两个或两个以上位置中两两之间的连线分别做垂直线，得到N个距离HIFU治疗头移动位置最近的交点，将这N个交点的位置作为插值参考像的位置，N为大于或等于二的整数。

6. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对HIFU治疗头在两个或两个以上位置时的参考像进行插值，分别得到所述两个或两个以上插值参考像的相位图包括：

对于每一个确定的插值参考像的位置，按照下式计算该插值参考像的相位图：

Φ_rpj＝Φ_r1+(Φ_r2-Φ_r1)(PJ-P1)/(P2-P1)；

其中，PJ为所述插值参考像的位置，P1和P2为所述生成参考像时HIFU治疗头的位置中的两个位置，且PJ1在P1和P2的连线上，Φ_rpj为位置PJ上参考像的相位图，Φ_r1和Φ_r2分别为HIFU治疗头在位置P1和P2时生成的参考像的相位图。

7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述利用两个或两个以上插值参考像的相位图计算所述HIFU治疗头移动位置上的参考像的相位图包括：

将所述两个或两个以上插值参考像的相位图做平均值，得到所述HIFU治疗头移动位置上的参考像的相位图。

8. 根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图和HIFU治疗头在该位置时生成的加热像计算加热区域的温度变化包括：

按照下式计算加热区域的温度变化：

Tmap＝(Φx-Φ_rx)/(γ·α·BO·TE)；

其中Tmap为所述HIFU治疗头在移动位置上加热区域的温度变化图，Φx为所述HIFU治疗头在移动位置时生成的加热图像的相位图，Φ_rx为所述计算出的HIFU治疗头在移动位置时的参考像的相位图，γ为质子的旋磁比，α为水中质子的温度频率系数，BO为静磁场强度，TE为回波时间。