[发明专利]一种制备晶体管T型纳米栅的方法有效
| 申请号： | 200710064874.3 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276752A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;张海英;刘训春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶体管 纳米 方法 | ||
1. 一种制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；
B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；
C、在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；
D、在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；
E、进行栅脚版电子束曝光；
F、进行栅帽版电子束曝光；
G、依次显影第四层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶；
H、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。
2. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，所述步骤A之前进一步包括：
清洗外延片，在130度的真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗干净的外延片上，用于增加外延片与胶的粘附性。
3. 根据权利要求2所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，所述清洗外延片的步骤包括：
先用丙酮冲洗，再用乙醇冲洗，然后用去离子水冲洗，如此反复至少6次，最后用氮气吹干。
4. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，所述易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶和第三层电子束胶为PMGI电子束胶，或为LOR胶。
5. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，步骤A中所述第一层电子束胶在前烘前的厚度为300至700埃，典型值为500埃；在前烘后的厚度为200至600埃，典型值为300埃；前烘条件为在180度烘箱中烘6分钟。
6. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，步骤B中所述第二层电子束胶ZEP520A在前烘前的厚度为1000至1800埃，典型值为1400埃；在前烘后的厚度为900至1500埃，典型值为1200埃；前烘条件为在180度烘箱中烘30分钟。
7. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，步骤C中所述第三层电子束胶在前烘前的厚度为3000至5500埃，典型值为4500埃；在前烘后的厚度为2500至5000埃，典型值为4000埃；前烘条件为在180度烘箱中烘6分钟。
8. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，步骤D中所述第四层电子束胶ZEP520A在前烘前的厚度为1700至4000埃，典型值为2600埃；在前烘后的厚度为1500至3500埃，典型值为2400埃；前烘条件为在180度烘箱中烘30分钟。
9. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，
步骤E中所述栅脚版电子束曝光的条件为：曝光剂量60至150μC/cm2，束流小于等于50pA；
步骤F中所述栅帽版电子束曝光的条件为：曝光剂量30至70μC/cm2，束流小于等于50pA。
10. 根据权利要求1所述的制备晶体管T型纳米栅的方法，其特征在于，步骤H中所述腐蚀栅槽包括：
对于帽层/腐蚀截止层为砷化镓GaAs/砷化铝AlAs的材料，采用磷酸∶双氧水∶水体积比为3∶1∶50的溶液进行腐蚀；
对于帽层/腐蚀截止层为铟镓砷InGaAs/磷化铟InP的材料，采用柠檬酸∶双氧水体积比为1∶1的溶液进行腐蚀；
步骤H中所述蒸发的栅金属由外延片表面向上依次为钛Ti/铂Pt/金Au，其厚度的典型值分别为250/250/3000
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