[发明专利]用于有机电致发光显示器/照明器件的容错电路有效
申请号: | 200710064860.1 | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101276528A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 李大勇;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G09G3/14 | 分类号: | G09G3/14;G09G3/32;H05B37/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 电致发光 显示器 照明 器件 容错 电路 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示技术领域,尤其涉及一种用于有机电致发光显示器/照明器件的容错电路,以驱动有机电致发光部件的象素。
背景技术
有机电致发光(OLED)元件包括一个夹在阳极层和阴极层之间的发光材料层。电学上,这种元件的工作类似于二极管。光学上,当正向加偏压时它发出与发光材料相关的颜色的光,并且亮度随着正向偏置电流的提高而增强。有可能构造带有OLED元件矩阵的显示平面或较大面积的照明器件,其制造于透明基底上并带有至少一层的透明电极层,还可能通过使用低温多晶硅薄膜晶体管(TFT)技术把驱动电路集成在同一块屏面上。
如图1所示,图1为现有OLED象素驱动电路的示意图。在用于有源矩阵式OLED显示器的基本驱动方式下,每个象素最少需要两个晶体管,即M1和M2,其中M1用于对象素进行寻址,M2用于将数据电压信号转化为使OLED元件发射指定亮度的电流。当象素未被选中时,通过存储电容CS存储数据信号。尽管在图中采用p沟道TFT作为示例,但该原理同样可以应用于采用n沟道TFT的电路。
大面积的OLED显示和照明屏面通常会伴有各种问题,从而整个器件不能像完美二极管那样工作。最主要的问题是随着OLED元件的面积的增大,不可避免的会产生短路错误,这是因为发光层材料的厚度通常为100纳米左右,在制作OLED元件过程中,很容易产生穿孔,使得阳极与阴极直接接触发生短路。这会使得大部分电流从该短路处流过,而非正常OLED元件,因此这种短路在无源OLED显示器上造成屏面的显示区中的不均匀象素亮度,在有源OLED显示器上造成非常大的能耗,并且引起不发光的象素点,这严重影响图象质量和光源质量。从而,需要一种用来容错的内置结构消除这些影响。
对于上述问题,目前基本采用“淘汰”的办法,进行质量控制。在使用中发生短路故障,无法进行修复。对于无源矩阵OLED显示或照明屏面,美国专利7049757采用串联的方法将OLED元件首尾相连,当其中一个元件发生短路故障的时候,由其他元件共同分担该短路元件的电压,从而降低了短路故障的影响。但该方法容易提高整个显示屏的驱动电压,并且无法应用于有源矩阵OLED显示或照明屏面上。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种用于有机电致发光显示器/照明器件的容错电路,以解决在显示器件或照明器件使用过程中,因像素点发生短路故障而引起的亮度不均的现象,使器件的亮度和功耗保持不变。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种用于有机电致发光显示器/照明器件的容错电路,该电路包括寻址单元1、压控电流源单元2、支路控制单元3、置零单元4、主发光器件208和备用发光器件212,其中,
寻址单元1,用于为压控电流源单元2中的电容元件进行充电,并设置压控电流源单元2中电流源晶体管的栅源电压;
压控电流源单元2,用于为支路控制单元3进行提供电源;
支路控制单元3,用于接收来自压控电流源单元2的恒定电流信号,判断自身第一支路开关晶体管206和第二支路开关晶体管207的工作状态;
置零单元4,用于判断支路控制单元3中第一支路开关晶体管206的栅极是否接地,使第一支路开关晶体管206正常工作。
所述寻址单元1包括行寻址信号输入端201、列寻址信号输入端202和寻址开关晶体管203,其中,
所述行寻址信号输入端201用于对整片屏面上的象素进行行寻址,
所述列寻址信号输入端202用于对整片屏面上的象素进行列寻址,
所述行寻址信号输入端201连接于寻址开关晶体管203的源极,所述列寻址信号输入端202连接于寻址开关晶体管203的栅极,所述寻址开关晶体管203的漏极连接于压控电流源单元2中电流源晶体管205的栅极。
所述压控电流源单元2包括存储电容204和电流源晶体管205,所述存储电容204连接于电流源晶体管205的栅极和源极之间,且电流源晶体管205的栅极连接于寻址开关晶体管203的漏极。
当寻址开关晶体管203处于开启状态且行寻址信号输入端201为低电压时,所述电流源晶体管205的栅极被设置为低电压状态,处于导通状态;同时,所述低电压对存储电容204进行充电,使得存储电容204的电压等于电流源晶体管205的栅源电压;
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