[发明专利]在半导体衬底上制备量子环结构的方法无效
| 申请号： | 200710063706.2 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101241849A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周慧英;曲胜春;金鹏;徐波;王赤云;刘俊朋;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/266;H01L21/324;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制备 子环 结构 方法 | ||
1. 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：
步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；
步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底，阳极氧化铝通孔模板的作用是为了在半导体衬底上选择性注入金属离子；
步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；；
步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；
步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
2. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的半导体衬底是GaAs半导体衬底。
3. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的阳极氧化模板是氧化铝通孔模板。
4. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的离子注入是金属离子注入。
5. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的退火是用砷保护退火。
6. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的退火温度是400℃-600℃，时间为5分钟到2小时。
7. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的量子结构是注入离子与组分结合形成的量子环结构。
8. 根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的离子注入是高能离子注入和低能离子注入。
9. 根据权利要求5所述的在半导体衬底上制备量子环结构的方法，其特征在于，其中所述的用砷保护退火，砷压范围为1×10-5到9×10-5Torr。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
