[发明专利]一种纳米间隙电极的制备方法

权利要求书

1.一种纳米间隙电极制备方法，其具体步骤如下：

a)在不受电子束破坏的纳米材料上制备具有较大间隙的电极对；

b)在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的原料分子；

c)将电子束聚焦在电极对的间隙区域；

d)当电极间隙达到所需的宽度时，停止电子束照射，制备得到纳米间隙电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中，步骤a采用光刻技术、电子束曝光技术、电流烧蚀技术、断结技术、电化学沉积技术、纳米线模板技术或聚焦离子束烧蚀技术制备电极对。

3.如权利要求1所述的制备方法，其中，步骤a中不受电子束破坏的纳米材料为金属、无机半导体材料或导电性有机材料。

4.如权利要求1或3所述的制备方法，其中，不受电子束破坏的纳米材料为金、银、铜、铁、铝、硅、锗、聚乙撑二氧噻吩或碳纳米管。

5.如权利要求1所述的制备方法，其中，步骤c的电子束能量为0.1至1000千电子伏。

6.如权利要求1所述的制备方法，其中，步骤c的电子束密度为10⁵至10¹⁰安培每平方米。

7.如权利要求1所述的制备方法，其中，步骤d的电极间隙为2至100纳米。