[发明专利]一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷，其特征在于，由基质Ag(Nb_1-xTa_x)O₃和添加剂Bi₂O₃组成，组分含量为：以Ag(Nb_1-xTa_x)O₃的质量为100％，添加剂Bi₂O₃的质量为Ag(Nb_1-xTa_x)O₃质量的4.2％～7.0％，其中0＜X≤0.4。

2.根据权利要求1所述的一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷，其特征在于，基质Ag(Nb_1-xTa_x)O₃由质量百分比为Ag₂O 41％～45％、Nb₂O₅ 28％～46％、Ta₂O₅ 9％～31％制备而成，其中0＜X≤0.4。

3.一种制备如权利要求1所述的超高介、低损耗的高频介质陶瓷的制备方法，其特征在于，按下述步骤制备：

(1)将占Ag(Nb_1-xTa_x)O₃质量28％～46％的Nb₂O₅和9％～31％的Ta₂O₅进行配料，Nb₂O₅和Ta₂O₅的混合物与去离子水的质量比是1∶1，球磨3～4小时，烘干；

(2)将步骤(1)得到的烘干的粉料在1200～1250℃下，煅烧3～5小时，合成Nb₂O₅和Ta₂O₅的前驱体；

(3)将占Ag(Nb_1-xTa_x)O₃质量41％～45％的Ag₂O和步骤(2)得到的Nb₂O₅和Ta₂O₅的前驱体，进行配料，球磨3～4小时，烘干，在950～1050℃下煅烧9～12小时，形成Ag(Nb_1-xTa_x)O₃；

(4)在步骤(3)制备的Ag(Nb_1-xTa_x)O₃中加入占Ag(Nb_1-xTa_x)O₃质量4.2％～7.0％的Bi₂O₃，进行配料，所述Ag(Nb_1-xTa_x)O₃和Bi₂O₃的混合物与去离子水的质量比是1∶1，球磨5～8小时，烘干，在1060～1130℃下，烧结2～8小时，得到超高介、低损耗的高频介质陶瓷。

4.根据权利要求3所述的超高介、低损耗的高频介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述Ag(Nb_1-xTa_x)O₃中，0＜X≤0.4。