[发明专利]北方地区适用的安祖花试管苗水培与基质培结合驯化方法有效

专利信息
申请号: 200710059516.3 申请日: 2007-09-06
公开(公告)号: CN101112171A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 杨小玲;王莅;崔少杰;张晓磊;王隆清;霍文娟;侯正仿 申请(专利权)人: 天津市农业高新技术示范园区管理中心
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01H4/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 陆艺
地址: 300381天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 北方地区 适用 安祖花 试管 水培 基质 结合 驯化 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于农业栽培技术,特别是涉及一种适用于北方地区的安祖花试管苗驯化栽培方法。

背景技术

安祖花,别名红掌、火鹤花、花烛,天南星科(Araceae)花烛属(Anthurium)多年生常绿草本植物,原产于中美洲和南美洲热带雨林。其肉穗花序具有红色、黄色、白色的蜡质佛焰苞,明艳华丽,色彩丰富,花期长,保鲜期长,便于包装和运输,安祖花种植面积和消费产量一直在稳定增长,国际贸易量居热带花卉第二位,仅次于兰花。安祖花的繁殖方法通常采用分株、扦插和组织培养。但分株、扦插繁殖不能满足生产和市场的需求,组织培养为安祖花快繁提供了有效途径。

我国于1994年开始从国外引种安祖花,并进行了商业性栽培。但由于进口种苗,价格昂贵,安祖花良种的缺乏已经严重地限制了我国安祖花产业化的发展。培育优质价廉种苗成为发展安祖花产业的关键。荷兰虽然实现了安祖花种苗规模化生产,但作为商业机密,荷兰就此方面发布的关键技术报导较少。近几年,国内许多园艺科技人员进行了安祖花组培快繁技术的研究,研究主要集中于愈伤组织诱导与分化、试管苗驯化栽培。但是,国内研究报导应用于生产实践时,与规模化种苗生产存在差距,特别是,北方地区由于冬季气温低,而夏季温度高,相对湿度小、昼夜温差大,试管苗从优越的无菌且温、湿度相对稳定的环境条件下移栽到光照强、昼夜温差大、多菌的室外环境条件中,出现了适应能力差,叶片萎蔫、新根生长缓慢、移栽成活率低、商品性状差等问题,多数报导指出,将试管苗开盖练苗2-3天后,再进行基质移栽,可以提高试管苗成活率。此方法在实际应用中易造成污染,反而影响成活率,同时加大了工作量,安祖花试管苗驯化移栽的问题制约了我国安祖花产业的发展。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足,提供一种试管苗驯化成活率高、生长快及易于管理的北方地区适用的安祖花试管苗水培与基质培结合驯化方法。

本发明的技术方案概述如下:

一种北方地区适用的安祖花试管苗水培与基质培结合驯化方法,由下述步骤组成:(1)水培培养:在空气温度为16--30℃,相对湿度为90%以上,光照强度为5000-10000Lux,选择叶片舒展,叶形正常,具有3-5个叶片的,根系具有2-3条,每条长为0.5-2.5cm的试管苗,用水漂洗净培养基后,将所述根系浸于充氧的、水温为20-28℃的水中培养20-30天;(2)基质栽培:在空气温度为18-34℃,相对湿度为60%以上,光照强度为10000-15000Lux,将经步骤(1)培养的苗定植于含有草炭、珍珠岩和少量有机肥的基质中,培养。

所述水温优选的是22--26℃。

所述水培培养的培养天数为25天。

所述草炭、珍珠岩的质量比为2-3∶1,所述有机肥占所述草炭和珍珠岩总质量的1%-5%。

本发明摸索出北方地区试管苗出瓶驯化移栽过程中,加速试管苗生根和提高试管苗成活率有效的方法。

本发明的优点是:

1.新根生长快,较其它基质移栽方法快10天左右。

2.提高试管苗驯化成活率,可达到95%以上。

3.改善弱小和污染试管苗质量。夏季组织培养过程中,污染发生率高,有些弱小试管苗(叶片不足3片)污染后,进行基质移栽时,基本不能成活,但使用本发明的方法移栽驯化后,60-70%成活,但此成活率较无污染的壮苗成活率低。

4.可周年生长,不受外界环境限制,提供的水调节的人工小环境,冬季可使用电热管加温;夏季可使用遮阳网或相对阴凉的房间进行水培管理,管理方便,并节省能源。

5.水培20-30天后,进行以草炭为主的基质移栽,可以为水培生根的试管苗急时补充养分和使新根深扎,起到壮苗的作用。避免了水培中直接使用肥料,因肥料浓度不适宜,造成浇根现象。同时由于水培时间短,不需要换水,操作方便。

附图说明

图1为草炭基质栽培易发生的沤根现象图片。

图2为蛭石和珍珠岩基质移栽易发生的失水萎蔫现象图片。

图3为使用本发明的方法中的步骤(1)水培培养14天生根图片。

图4为使用本发明的方法中的步骤(1)水培培养20天根系平均增加量为1cm的图片。

图5为使用本发明的方法后(水温25,25天)移栽成活率在95%以上的图片。

图6为用草炭∶珍珠岩=3∶1的基质培养的苗的图片。

图7为用蛭石为基质培养的苗的图片。

图8为用蛭石∶珍珠岩=2∶1为基质培养的苗的图片。

图9为用本发明的方法中的步骤(1)水培培养的苗的图片。

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