[发明专利]ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法

权利要求书

1、一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其包括轻质柔性衬底、ZnO电绝缘层和杂质阻挡层、背电极、吸收层、窗口层和前电极，其特征在于所述轻质柔性衬底是：金属材料衬底或聚合物材料衬底；衬底和背电极之间为0.8～4.0μm的ZnO电绝缘层与杂质阻挡层。

2、根据权利要求1所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述金属材料衬底是不锈钢箔、Mo箔、Cu铜箔、Al箔或Ti箔。

3、根据权利要求1或2所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述聚合物材料衬底是聚酰亚胺薄膜。

4、根据权利要求1所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述吸收层是：CIGS、碲化镉、非晶硅、砷化镓、硫化镉或染料TiO₂光伏材料。

5、根据权利要求1、2或4所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述ZnO电绝缘与杂质阻挡层是掺杂ZnO薄膜或本征ZnO薄膜。

6、根据权利要求1、2或4所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述ZnO电绝缘与杂质阻挡层是掺杂ZnO薄膜或本征ZnO薄膜与Al₂O₃、SiO₂共沉积或分层沉积的薄膜；共沉积时三种金属氧化物以任意的比例混合，分层沉积时三种金属氧化物的厚度分别为0.2μm～3μm。

7、根据权利要求5所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述轻质柔性衬底是金属材料衬底，吸收层是：CIGS、碲化镉、非晶硅、砷化镓、硫化镉或染料TiO₂光伏材料，本征ZnO薄膜作为电绝缘阻挡层，厚度为0.8～4.0μm。

8、根据权利要求5所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池，其特征在于所述轻质柔性衬底是聚合物材料衬底，吸收层是：CIGS、碲化镉、非晶硅、砷化镓、硫化镉或染料TiO₂光伏材料，掺杂或本征ZnO薄膜做为杂质阻挡层，厚度为0.8～2.0μm。

9、一种根据权利要求1所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于所述ZnO电绝缘与杂质阻挡层用蒸发、溅射、溶胶凝胶法或化学气相沉积法沉积在轻质柔性衬底上，然后再在ZnO电绝缘与杂质阻挡层上沉积背电极、吸收层、窗口层和前电极，得到ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池。

10、根据权利要求9所述的ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于所述ZnO电绝缘与杂质阻挡层制备工艺是：在轻质柔性衬底上直流磁控溅射沉积ZnO电绝缘与杂质阻挡层，采用纯锌靶或者ZnO陶瓷靶，调整氧气和氩气的流量比为1∶2，沉积时间为2～4小时。