[发明专利]波导光开关及其制作方法

权利要求书

1.一种波导光开关，包括下波导芯层、垂直耦合层、上波导芯层、上波导上包层，其中下波导芯层包括下波导及下波导侧包层，上波导芯层包括上波导及上波导侧包层；其特征在于还包括下波导下包层(2)；下波导下包层(2)、下波导侧包层(3)、垂直耦合层(4)、上波导侧包层(5)、上波导上包层(6)均采用聚酯类聚合物BCB；上波导(8)和下波导(7)均采用环化橡胶类聚合物Su8。

2.根据权利要求1所述的波导光开关，其特征在于下波导下包层(2)厚度为3～5μm；下波导芯层厚度为3.5～4.5μm；垂直耦合层(4)厚度为1～2μm；上波导芯层厚度为3.5～4.5μm；上波导上包层(6)厚度为3～5μm；上波导(8)和下波导(7)之间的夹角为0.2°～1.8°。

3.根据权利要求2所述的波导光开关，其特征在于下波导下包层(2)厚度为4μm；下波导芯层厚度为3.8μm；垂直耦合层(4)厚度为1.5μm；上波导芯层厚度为3.8μm；下波导(7)和上波导(8)之间的夹角为0.7°；上波导上包层(6)厚度为4μm。

4.一种权利要求1所述的波导光开关的制作方法，其特征在于包括下列步骤：

a、对基底硅片1表面进行常规清洁处理；

b、在步骤a处理过的基底表面上旋涂BCB作为下波导下包层(2)；旋涂采用匀胶机；匀胶机旋转速度为500～700转/分时旋涂5～9s，然后匀胶机旋转速度为1000～2000转/分时旋涂8～12s；

c、对经过步骤b得到的片子进行坚膜处理；坚膜采用烘箱，对烘箱先抽真空，然后通入氮气；在常压氮气条件下，温度205～215℃时烘38～42分钟，自然降温至室温后取出片子；

d、在经过步骤c得到的片子上表面旋涂一层Su8，并进行前烘；旋涂采用匀胶机，匀胶机旋转速度为500～700转/分时旋涂5～7s，然后匀胶机旋转速度为4000～6000转/分时旋涂5～7s；前烘采用烘箱，在暗室中常压条件下，温度65～70℃时烘8～12分钟，然后温度95～100℃时烘8～12分钟，自然降温至室温后取出片子；

e、对经过步骤d得到的片子上表面进行光刻，刻出下波导(7)图形后进行显影和后烘；显影时间为25s～35s；后烘采用烘箱，在暗室中常压条件下，温度65～70℃时烘8～12分钟，然后温度95～100℃时烘8～12分钟，自然降温至室温后取出片子；

f、在经过步骤e得到的片子上表面旋涂一层BCB并进行坚膜处理；旋涂采用匀胶机，匀胶机旋转速度为500～700转/分时旋涂5～9s，然后匀胶机旋转速度为2000～4000转/分时旋涂8～12s；坚膜采用烘箱，对烘箱先抽真空，然后通入氮气；在常压氮气条件下，温度205～215℃时烘38～42分钟，然后温度245～255℃时烘58～62分钟，自然降温至室温后取出片子；

g、在经过步骤f得到的片子上表面旋涂一层Su8并进行前烘；旋涂采用匀胶机，匀胶机旋转速度为500～700转/分时旋涂5～7s，然后旋转速度为4000～6000转/分时旋涂5～7s；前烘采用烘箱，在暗室中常压条件下，温度65～70℃时烘8～12分钟，然后温度95～100℃时烘8～12分钟，自然降温至室温后取出片子；

h、对经过步骤g得到的片子上表面进行光刻，刻出上波导(8)图形后进行显影和后烘；显影时间为25s～35s；后烘采用烘箱，在暗室中常压条件下，温度65～70℃时烘8～12分钟，然后温度95～100℃时烘8～12分钟，自然降温至室温后取出片子；

i、在经过步骤h得到的片子上表面旋涂BCB；旋涂采用匀胶机，匀胶机旋转速度为500～700转/分时旋涂5～9s，然后匀胶机旋转速度为1000～2000转/分时旋涂8～12s；

j、对经过步骤i得到的片子进行坚膜处理；坚膜采用烘箱，对烘箱先抽真空，然后通入氮气；在常压氮气条件下，温度205～215℃时烘38～42分钟，然后温度245～255℃时烘58～62分钟，自然降温至室温后取出片子；

k、在经过步骤j处理的片子上表面蒸镀金属电极(9)。