[发明专利]双侧凹陷内阴栅控结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200710054634.5 | 申请日: | 2007-06-20 |
公开(公告)号: | CN101071747A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人: | 张欣棠;张国文 |
地址: | 451191河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凹陷 内阴栅控 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种圆环叉角型下栅控阴结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
碳纳米管具有优良的场致发射性能,具有高度的物理化学稳定性,非常适合于作为新型平板显示器件的冷阴极材料。碳纳米管场致发射显示器是一种主动发光的平板显示技术,具有全固体化、耐冲击、高清晰度、高分辨率、响应速度快、工作温区范围广等特点,可以用来制作点阵式显示器、数码管等各种显示装置,特别适用于仪器仪表用显示装置和家电显示装置,将在计算机显示器和壁挂电视领域占有很大的市场份额,业已成为了新一代国际平板显示技术的发展方向。
为了降低总体器件成本,以便于和常规的集成驱动电路相联系,制作三极结构的碳纳米管场致发射显示器已经成为了一种必然的选择。但是,由于栅极结构的加入,使得整体器件的制作变得更加的复杂起来。出于进一步降低栅极工作电压的需要,就要尽可能缩减栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离,但同时还要防止二者之间的电学击穿现象的出现,因此,无论是对绝缘材料的绝缘等级上,还是对绝缘材料的材料属性和制作工艺方面,都对绝缘材料提出了更高更严格的要求。再有,真空的绝缘性能是优于绝缘材料的,在器件制作的时候可以充分的加以利用。栅极结构和阴极结构之间的电容效应也是值得关注的一个问题,很显然,如果器件的电容效应很大的话,那么器件的工作频率也是很难得到提高的。因此,在实际器件的制作过程中,对于这些问题都需要进行仔细的思考,从而进行高质量的显示器件制作。
此外,在三极结构的平板场致发射显示器件当中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的圆环叉角型下栅控阴结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及圆环叉角型下栅控阴结构。
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