[发明专利]分岔状侧底栅控型结构的平板显示器及其制作工艺

说明书

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种分岔状侧底栅控型结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管场致发射显示器是结合了传统阴极射线管显示器的高图像质量特点的、利用碳纳米管阴极场致电子发射原理而研制的新型平面显示技术。这种显示器具有自主发光的特型，不需要背光源，而且在较低的工作电压下就能够产生与阴极射线管显示器相近的高亮度，其工作温度范围比较广，具有较佳的耐环境性能，因此早就引起了众多科研人员的高度关注。碳纳米管是一种呈现小管状的石墨层结构物质，具有小的尖端曲率半径，能够在外加电场强度作用下发射电子，是一种性能相当优秀的场致发射冷阴极材料。

在目前的三极结构场致发射平板显示器件当中，尽管器件结构各不相同，其栅极结构的控制模式也多种多样，但实质上栅极结构的基本功能没有发生变化，即通过减小栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离，使得较小的栅极电压就能够在碳纳米管阴极顶端形成足够大的电场强度，进行电子发射，从而降低了器件的工作电压。但是在目前的显示器件当中，大多数的显示器件都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的控制模式，其制作工艺较简单，栅极的控制功能较显著，但是随之附带的就是栅极电压居高不下，栅极电流过于偏大等不利之处，还需要进一步的改进。碳纳米管阴极对整体器件的影响也不容忽视，更多的碳纳米管阴极进行电子发射则有利于提高器件的显示亮度，而碳纳米管阴极形状的变化，会对阴极顶端的电场强度的形成具有决定性的影响作用，从这一方面也可以进行间接的降低栅极结构的工作电压。因此，在实际器件的设计和制作过程中，如何将各种影响因素综合到一起，究竟采用何种控制结构模式，进行高质量的器件制作，都需要认真地思考和加以解决。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用前提下，还需降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的分岔状侧底栅控型结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及分岔状侧底栅控型结构。