[发明专利]内凹型下栅控阶梯阴极结构的平板显示器及其制作工艺

说明书

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种内凹型下栅控阶梯阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径，在外加电压的作用下，碳纳米管阴极尖端附近的电场强度非常集中，迫使碳纳米管不需要额外的能量就能够发射出大量的电子，即冷场致发射现象。由于碳纳米管具有良好的场致发射性能，可以作为电子源应用于场致发射显示器件。碳纳米管阴极场致发射显示器件充分利用了碳纳米管的低导通电场、高发射电流密度以及高稳定性特点，结合了传统阴极射线管显示器具有的高清晰图像质量，是一种新型的平板显示设备，早已引起了众多科研人员的高度关注。

在三极结构的碳纳米管阴极场致发射显示器件中，栅极结构用来直接控制碳纳米管阴极电子发射的重要控制元件，但由于栅极结构的加入，使得整体器件制作更加复杂。针对于栅极工作电压居高不下，器件显示亮度不高，碳纳米管阴极的发射效率低下等缺点，还需加以认真解决。在阴极方面，需要增大碳纳米管阴极的电子发射面积，使更多的碳纳米管阴极参与电子发射，增加了器件的阳极工作电流，当然器件的显示亮度就提高了；还需进一步提高碳纳米管阴极的电子发射效率，使得碳纳米管在较低工作电压下能发射出更多的电子，既有利于降低栅极结构的工作电压，同时还能提高碳纳米管的发射电子束电流。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下，还需要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的内凹型下栅控阶梯阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上设置有阴极引线层、碳纳米管以及内凹型下栅控阶梯阴极结构。